封裝：DFN
　　額定電壓：650V
　　額定電流：2.7A
　　導(dǎo)通電阻：2.7mΩ
　　柵極電荷：38nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無(wú)
　　工作溫度范圍：-40℃ 至 +150℃

1206N2R7B500CT 擁有非常低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度，這使其在高頻操作條件下具有極高的效率。此外，由于采用了增強(qiáng)型模式（E-Mode）GaN 技術(shù)，無(wú)需復(fù)雜的柵極驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過(guò)程。
　　其關(guān)鍵特性包括：
　　- 高擊穿電壓：支持高達(dá) 650V 的工作電壓。
　　- 極低的 RDS(on)：2.7mΩ 導(dǎo)通電阻可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　- 快速開(kāi)關(guān)能力：極低的柵極電荷和輸出電荷確保高效運(yùn)行。
　　- 高熱穩(wěn)定性：能夠在高溫環(huán)境下可靠工作，最高結(jié)溫可達(dá) 150°C。
　　- 簡(jiǎn)化的驅(qū)動(dòng)要求：無(wú)需負(fù)柵壓驅(qū)動(dòng)，直接兼容傳統(tǒng) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。

這款芯片廣泛應(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)合，例如：
　　- 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 無(wú)線充電發(fā)射端和接收端
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器
　　- LED 驅(qū)動(dòng)器
　　- 太陽(yáng)能微型逆變器
　　憑借其出色的性能，該器件非常適合替代傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，尤其是在高頻應(yīng)用中。

1206N2R9B500CT
　　1206N3R3B500CT