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IRFD9024PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/7 16:55:16 查看 閱讀：292

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-



目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫歐 @ 960mA, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.6A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：570pF @ 25V

    功率 - 最大：1.3W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：4-DIP (0.300", 7.62mm)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

    其它名稱：*IRFD9024PBF


資料

廠商
Vishay Semiconductors

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irfd9024pbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRFD9024
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C280 毫歐 @ 960mA，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds570pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFD9024PBF