類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:280 毫歐 @ 960mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:1.6A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:19nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :570pF @ 25V
功率 - 最大:1.3W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:4-DIP (0.300", 7.62mm)
包裝:管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
其它名稱:*IRFD9024PBF
廠商 |
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Vishay Semiconductors |