1210N180J202CT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于功率半�(dǎo)體器�。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的開�(guān)性能和高效的功率�(zhuǎn)換能�。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、射頻放大器、電源管理系�(tǒng)以及新能源汽車中的電力電子設(shè)��
該型�(hào)中的'1210'通常表示封裝尺寸�12mm x 10mm�'N'代表N溝道�'180'表示耐壓值為180V�'J202'可能是特定的�(chǎn)品系列或版本�(biāo)�(shí),�'CT'則可能與�(cè)試標(biāo)�(zhǔn)或篩選等�(jí)相關(guān)�
額定電壓�180V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:6mΩ
柵極電荷�50nC
開關(guān)速度:小�50ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3
1210N180J202CT 擁有非常低的�(dǎo)通電阻,使其在高電流�(yīng)用中具有出色的效率表�(xiàn)。此外,由于采用了氮化鎵材料,其開關(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET,從而減少了開關(guān)損�,并支持更高頻率的操作�
該器件還具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,在極端�(huán)境條件下仍能保持�(wěn)定的性能輸出。同�(shí),它具有較小的寄生電感和電容,�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能�
相比同類硅基�(chǎn)��1210N180J202CT 的高頻特性和更低的功耗使得它成為許多�(xiàn)代高效電源解決方案的理想選擇�
這款芯片廣泛�(yīng)用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模塊、LED�(qū)�(dòng)電路、光伏逆變�、電�(dòng)汽車車載充電器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
其高開關(guān)速度和低損耗特�(diǎn)特別適合要求快速響�(yīng)和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)�,例如消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理單��
1210N180J201CT
1210N180J203CT