1210N180J202CT 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),屬于功率半導(dǎo)體器件。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的開關(guān)性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、射頻放大器、電源管理系統(tǒng)以及新能源汽車中的電力電子設(shè)備。
該型號(hào)中的'1210'通常表示封裝尺寸為12mm x 10mm,'N'代表N溝道,'180'表示耐壓值為180V,'J202'可能是特定的產(chǎn)品系列或版本標(biāo)識(shí),而'CT'則可能與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)或篩選等級(jí)相關(guān)。
額定電壓:180V
連續(xù)漏極電流:20A
導(dǎo)通電阻:6mΩ
柵極電荷:50nC
開關(guān)速度:小于50ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-263-3
1210N180J202CT 擁有非常低的導(dǎo)通電阻,使其在高電流應(yīng)用中具有出色的效率表現(xiàn)。此外,由于采用了氮化鎵材料,其開關(guān)速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET,從而減少了開關(guān)損耗,并支持更高頻率的操作。
該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,在極端環(huán)境條件下仍能保持穩(wěn)定的性能輸出。同時(shí),它具有較小的寄生電感和電容,進(jìn)一步優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。
相比同類硅基產(chǎn)品,1210N180J202CT 的高頻特性和更低的功耗使得它成為許多現(xiàn)代高效電源解決方案的理想選擇。
這款芯片廣泛應(yīng)用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模塊、LED驅(qū)動(dòng)電路、光伏逆變器、電動(dòng)汽車車載充電器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
其高開關(guān)速度和低損耗特點(diǎn)特別適合要求快速響應(yīng)和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)合,例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理單元。
1210N180J201CT
1210N180J203CT