額定電壓：180V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：6mΩ
　　柵極電荷：50nC
　　開關(guān)速度：小于50ns
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-263-3

1210N180J202CT 擁有非常低的導(dǎo)通電阻，使其在高電流應(yīng)用中具有出色的效率表現(xiàn)。此外，由于采用了氮化鎵材料，其開關(guān)速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET，從而減少了開關(guān)損耗，并支持更高頻率的操作。
　　該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在極端環(huán)境條件下仍能保持穩(wěn)定的性能輸出。同時(shí)，它具有較小的寄生電感和電容，進(jìn)一步優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。
　　相比同類硅基產(chǎn)品，1210N180J202CT 的高頻特性和更低的功耗使得它成為許多現(xiàn)代高效電源解決方案的理想選擇。

這款芯片廣泛應(yīng)用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模塊、LED驅(qū)動(dòng)電路、光伏逆變器、電動(dòng)汽車車載充電器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
　　其高開關(guān)速度和低損耗特點(diǎn)特別適合要求快速響應(yīng)和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)合，例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理單元。

1210N180J201CT
　　1210N180J203CT