1210N180J501CT 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體� (HEMT),專為高頻和高功率應用設�。該器件采用先進的 GaN 技術,提供卓越的開關性能、低導通電阻以及高效率。其封裝形式通常為表面貼裝型,便于在�(xiàn)代電路板上的集成�
該器件廣泛應用于電源管理、DC-DC 轉換器、電機驅�、電信設備和工業(yè)自動化等領域。由于其出色的性能和可靠��1210N180J501CT 成為了替代傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的理想選��
型號�1210N180J501CT
類型:GaN HEMT
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:40mΩ
柵極電荷�95nC
開關頻率:高� 5MHz
封裝:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� � +175�
1210N180J501CT 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電�,能夠顯著降低功率損耗,提升整體效率�
2. 快速開關速度,支持高頻操�,非常適合高� DC-DC 轉換器和其他高頻應用�
3. 內置 ESD 保護功能,提高了器件在實際使用中的抗靜電能力�
4. 高度可靠� GaN 材料結構,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和機械強度�
5. 緊湊型封裝設�,有助于減小整體系統(tǒng)尺寸并優(yōu)� PCB 布局�
6. 廣泛的工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下保持�(wěn)定性能�
1210N180J501CT 主要應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � AC-DC 轉換��
2. 高效 DC-DC 轉換�,尤其是在電動汽車和混合動力汽車中使用的轉換器�
3. 通信基礎設施,例如基站電源和射頻功率放大器�
4. 工業(yè)設備,如伺服驅動�、逆變器和不間斷電� (UPS)�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的快充適配器,以實現(xiàn)更高的充電效率和更小的體��
6. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關應用�
1210N150J501CT, 1210N200J501CT