19-213/R6W-BP2Q2B/3T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高耐壓和快速開�(guān)速度的特點,能夠顯著提升電路效率并降低功��
其封裝形式為3-Terminal�(shè)�,適合高密度集成�(yīng)用環(huán)�。該型號特別針對工業(yè)級和汽車級應(yīng)用進行了優(yōu)�,具有出色的�(wěn)定性和可靠性�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�50nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-263�3-Terminal�
這款功率MOSFET的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在滿載條件下可顯著降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高�500kHz的工作頻率�
3. �(nèi)置ESD保護電路,增強抗靜電能力�
4. 支持高側(cè)和低�(cè)�(qū)動配�,兼容各種應(yīng)用場��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 耐熱性優(yōu)異,可在極端溫度�(huán)境下�(wěn)定運��
19-213/R6W-BP2Q2B/3T適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 汽車電子系統(tǒng)
6. 太陽能逆變�
7. 其他需要高效功率管理的場合
R6W-BP2Q2C/3T, IRF540N, FDP5570N