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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2N6491G

2N6491G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:40:50 查看 閱讀�41

2N6491G是一種雙極型晶體管(BJT�,屬于NPN型,主要用于高頻和低噪聲應用。該晶體管通常被用于射頻(RF)放大器、混頻器和其他高頻電路中。其設計注重低噪聲性能,因此在無線通信設備、接收機以及其他對信號完整性要求較高的領域中具有廣泛應用�

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�50V
  集電極電流:0.2A
  功率耗散�350mW
  頻率響應:高�1GHz
  增益帶寬積:1GHz
  噪聲系數(shù)�1.7dB
  直流電流增益(hFE):100
  封裝類型:TO-18

特�

2N6491G的主要特點是其出色的高頻性能和低噪聲特�。它能夠在高頻條件下保持�(wěn)定的增益,并且具備較低的噪聲系數(shù),這使得它非常適合于需要高靈敏度和低失真的應用�(huán)��
  此外,它的增益帶寬積較高,能夠支持較寬的工作頻率范圍。這種晶體管的低功率耗散特性也使其適合在小型化和低功耗系�(tǒng)中使用�

應用

2N6491G廣泛應用于各種高頻電子電路中,包括但不限于射頻放大器、混頻器、振蕩器以及�(diào)制解�(diào)器等。在無線通信領域,它可以用于構建高性能的接收機前端,以提升系統(tǒng)的靈敏度和抗干擾能力�
  此外,在測試與測量設備中,該晶體管也可以作為信號放大的關鍵組�。由于其低噪聲特性,2N6491G還經(jīng)常出�(xiàn)在音頻設備中的前置放大器部分,用于提高信噪比�

替代型號

2N6490, 2N6492

2n6491g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2n6491g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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2n6491g參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)15A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)3.5V @ 5A�15A
  • 電流 - 集電極截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)20 @ 5A�4V
  • 功率 - 最�1.8W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�5MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱2N6491GOS