2N6491G是一種雙極型晶體管(BJT�,屬于NPN型,主要用于高頻和低噪聲應用。該晶體管通常被用于射頻(RF)放大器、混頻器和其他高頻電路中。其設計注重低噪聲性能,因此在無線通信設備、接收機以及其他對信號完整性要求較高的領域中具有廣泛應用�
集電�-�(fā)射極電壓�50V
集電極電流:0.2A
功率耗散�350mW
頻率響應:高�1GHz
增益帶寬積:1GHz
噪聲系數(shù)�1.7dB
直流電流增益(hFE):100
封裝類型:TO-18
2N6491G的主要特點是其出色的高頻性能和低噪聲特�。它能夠在高頻條件下保持�(wěn)定的增益,并且具備較低的噪聲系數(shù),這使得它非常適合于需要高靈敏度和低失真的應用�(huán)��
此外,它的增益帶寬積較高,能夠支持較寬的工作頻率范圍。這種晶體管的低功率耗散特性也使其適合在小型化和低功耗系�(tǒng)中使用�
2N6491G廣泛應用于各種高頻電子電路中,包括但不限于射頻放大器、混頻器、振蕩器以及�(diào)制解�(diào)器等。在無線通信領域,它可以用于構建高性能的接收機前端,以提升系統(tǒng)的靈敏度和抗干擾能力�
此外,在測試與測量設備中,該晶體管也可以作為信號放大的關鍵組�。由于其低噪聲特性,2N6491G還經(jīng)常出�(xiàn)在音頻設備中的前置放大器部分,用于提高信噪比�
2N6490, 2N6492