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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > LQW15AN3N9B00D

LQW15AN3N9B00D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 15:11:18 查看 閱讀�18

LQW15AN3N9B00D 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� LFPAK88 封裝形式。該芯片主要用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等。其 N 溝道�(shè)�(jì)使得它在多種電子�(shè)備中具有出色的性能表現(xiàn)�
  這款功率 MOSFET 的特�(diǎn)在于它的超低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,這使其成為許多高效能�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�176A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.55mΩ
  柵極電荷�24nC
  輸入電容�3800pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

LQW15AN3N9B00D 具有非常低的�(dǎo)通電阻,這可以顯著降低功率損�,從而提高系�(tǒng)的整體效率。同�(shí),該器件的封裝采用了 LFPAK88 技�(shù),這種封裝方式具備較低的寄生電�,有助于提升開關(guān)速度并減少開�(guān)損��
  此外,LQW15AN3N9B00D 支持寬泛的工作溫度范圍,� -55°C � +175°C,使其能夠在極端�(huán)境條件下�(wěn)定運(yùn)�。對(duì)于需要高可靠性和高效能的�(yīng)用場(chǎng)合來(lái)�(shuō),這些特性顯得尤為重要�
  由于其快速開�(guān)能力和低 Qg(柵極電荷),此器件非常適合高頻操作下的各種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)控制�(yīng)�。另�,其卓越的熱性能也�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的耐用��

�(yīng)�

LQW15AN3N9B00D 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  - 電動(dòng)車輛中的電機(jī)控制�
  - 工業(yè)自動(dòng)化中的伺服驅(qū)�(dòng)�
  - 筆記本電腦及平板�(shè)備的適配�
  - 高效 DC-DC �(zhuǎn)換模�
  - 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
  憑借其低導(dǎo)通電阻與高電流承載能�,該器件能夠滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)高效能和小型化的需求�

替代型號(hào)

LQW15AN3N9B00DTR, LQW15AN3N9B00DS

lqw15an3n9b00d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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lqw15an3n9b00d參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10,000
  • 類別電感�,線圈,扼流�
  • 家庭固定�
  • 系列LQW15A_00
  • 電感3.9nH
  • 電流750mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型空氣芯體
  • 容差±0.1nH
  • 屏蔽�(wú)屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最� 70 毫歐
  • Q因子@頻率25 @ 250MHz
  • 頻率 - 自諧�10GHz
  • 材料 - 芯體空氣
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - �(cè)�100MHz