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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2N7002DW

2N7002DW 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 18:20:34 查看 閱讀�44

2N7002DW 是一� N 灃道艼溝道增強型場效應晶體管(MOSFET�。它廣泛應用于模擬和�(shù)字電路中,主要用于開關和放大功能。該器件具有低柵極電�、快速開關速度和高可靠性等特點,適用于多種電源管理應用和信號處理場��
  2N7002DW 的設計使其能夠承受較高的漏源電壓,并且具備較小的導通電�,在低功率應用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏電流�300mA
  最大功耗:400mW
  導通電阻:1.8Ω(典型值)
  柵極電荷�9nC
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

2N7002DW 具有以下主要特點�
  1. 高輸入阻�,減少驅(qū)動電路的負載�
  2. 快速開關能力,適合高頻應用�
  3. 熱穩(wěn)定性良好,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)可靠運行�
  4. 小封裝尺�,便于在緊湊型設計中使用�
  5. 良好的電氣性能,包括較低的導通電阻和柵極電荷,從而提高效率并降低功��
  6. 它還具備 ESD 保護設計,增加了器件的耐用性和可靠��

應用

2N7002DW 可用于以下應用場景:
  1. 開關電源(SMPS)中的開關元��
  2. 電池供電設備中的負載開關�
  3. 電機控制和驅(qū)動電路�
  4. 信號電平�(zhuǎn)��
  5. 各種便攜式電子設備中的保護電��
  6. �(shù)�(jù)通信接口中的開關功能�
  由于其小尺寸和高效能,該 MOSFET 在消費類電子�(chǎn)品、工�(yè)控制以及汽車電子領域都有廣泛應用�

替代型號

2N7002K, BSS138, PMV20EN

2n7002dw推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2n7002dw資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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2n7002dw參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C115mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 歐姆 @ 50mA�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最�200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SC-70-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱2N7002DWTR