2N7002KM 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于需要低電壓�(qū)動和快速開�(guān)的電路中。其�(shè)計使其非常適合用于信號切�、負(fù)載開�(guān)以及高頻�(yīng)用等場合�
2N7002KM 的特�(diǎn)是低漏源�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和較低的柵極電荷,這使得它在功率效率和開關(guān)速度方面表現(xiàn)�(yōu)�。此外,由于其小型化封裝和高可靠�,它在便攜式電子�(shè)備和其他緊湊型系�(tǒng)中非常受歡迎�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏電流(Id)�300mA
漏源�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
總功�(Ptot)�400mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
柵極電荷(Qg)�4nC(典型值)
輸入電容(Ciss)�15pF(典型值)
2N7002KM 具有以下顯著特性:
1. 高開�(guān)速度:由于其低柵極電荷,該器件能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能�
2. 小尺寸封裝:采用�(biāo)�(zhǔn) SOT-23 封裝,適合空間受限的�(yīng)��
3. 低導(dǎo)通電阻:確保了較高的功率效率并減少了熱量�(chǎn)生�
4. 可靠性強(qiáng):即使在惡劣的工作環(huán)境下,如高溫或低溫條件下,仍然保持穩(wěn)定的性能�
5. 易于�(qū)動:較低的柵極閾值電壓使其能夠由大多�(shù)邏輯電路直接�(qū)動�
這款 MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
3. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切��
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的驅(qū)動電��
5. 電池供電�(shè)備中的功率管理模塊�
2N7002,
BS108,
FDN305P,
BSS138