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IRF7313TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 15:23:52 查看 閱讀�24

IRF7313TR是IR公司(現(xiàn)為Infineon Technologies)生�(chǎn)的一款雙通道N溝道MOSFET功率晶體�。該器件采用TSSOP-8封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于需要高效能、低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  IRF7313TR將兩�(gè)MOSFET集成在一�(gè)封裝中,可以有效節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)。這種雙MOSFET�(jié)�(gòu)通常用于同步整流電路、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載切換以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流(每�(gè)MOSFET):4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�9nC(典型值)
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�60°C/W
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C
  封裝形式:TSSOP-8

特�

IRF7313TR具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻使得其在高電流�(yīng)用中能夠減少功耗,提高效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力允許其在高頻電源�(zhuǎn)換電路中使用�
  3. 小型化的TSSOP-8封裝有助于節(jié)省印刷電路板的空�,并且具備良好的散熱性能�
  4. 雙MOSFET集成�(shè)�(jì)降低了系�(tǒng)�(fù)雜性,減少了元器件�(shù)��
  5. 能夠承受較高的漏源電壓,適合多種不同電壓等級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)��
  6. 寬泛的工作溫度范圍保證了器件在極端條件下的可靠運(yùn)行�

�(yīng)�

IRF7313TR廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備之�,具體包括:
  1. 同步整流電路中的主開(kāi)�(guān)和續(xù)流二極管替代方案�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓、升壓或反激式拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如筆記本電腦適配�、手�(jī)充電器等�(nèi)部電��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制領(lǐng)域中的小型電�(jī)�(qū)�(dòng)和電磁閥控制�
  6. 通信電源系統(tǒng)中的功率�(jí)�(zhuǎn)換模塊�

替代型號(hào)

IRL7313TRPBF, IRF7309TR

irf7313tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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