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IRF7313TR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/12 15:23:52 查看 閱讀：24

IRF7313TR是IR公司（現(xiàn)為Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款雙通道N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用TSSOP-8封裝形式，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適用于需要高效能、低功耗的應(yīng)用場(chǎng)合。
　　IRF7313TR將兩個(gè)MOSFET集成在一個(gè)封裝中，可以有效節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。這種雙MOSFET結(jié)構(gòu)通常用于同步整流電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載切換以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓：20V
　　連續(xù)漏極電流（每個(gè)MOSFET）：4A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：9nC（典型值）
　　總熱阻（結(jié)到環(huán)境）：60°C/W
　　工作溫度范圍：-55°C至+150°C
　　封裝形式：TSSOP-8

特性

IRF7313TR具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻使得其在高電流應(yīng)用中能夠減少功耗，提高效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力允許其在高頻電源轉(zhuǎn)換電路中使用。
　　3. 小型化的TSSOP-8封裝有助于節(jié)省印刷電路板的空間，并且具備良好的散熱性能。
　　4. 雙MOSFET集成設(shè)計(jì)降低了系統(tǒng)復(fù)雜性，減少了元器件數(shù)量。
　　5. 能夠承受較高的漏源電壓，適合多種不同電壓等級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　6. 寬泛的工作溫度范圍保證了器件在極端條件下的可靠運(yùn)行。

應(yīng)用

IRF7313TR廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備之中，具體包括：
　　1. 同步整流電路中的主開(kāi)關(guān)和續(xù)流二極管替代方案。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，如降壓、升壓或反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
　　3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦適配器、手機(jī)充電器等內(nèi)部電路。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化控制領(lǐng)域中的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電磁閥控制。
　　6. 通信電源系統(tǒng)中的功率級(jí)轉(zhuǎn)換模塊。

替代型號(hào)

IRL7313TRPBF, IRF7309TR

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