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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 2SB1386T100R

2SB1386T100R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 22:08:23 查看 閱讀�16

2SB1386T100R是一種高性能的雙極型晶體管(Bipolar Transistor�,屬于東芝公司的�(dá)林頓晶體管系列。該器件采用TO-252小型表面貼裝封裝,適用于各種�(kāi)�(guān)和線性應(yīng)用場(chǎng)�。它具有較高的電流增益、低飽和電壓以及出色的熱�(wěn)定�,非常適合用于功率放大器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理以及其他需要高電流處理能力的場(chǎng)景�
  �(dá)林頓晶體管結(jié)�(gòu)通過(guò)將兩�(gè)NPN晶體管串�(lián)連接以顯著提高電流增益(hFE�。這使�2SB1386T100R能夠在較小的基極�(qū)�(dòng)電流下控制較大的集電極電流,從而在許多工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中�(fā)揮重要作��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�80V
  集電極電流:4A
  功耗:2W
  直流電流增益(hFE):5000(典型值)
  �(guò)渡頻率:1.5MHz
  存儲(chǔ)溫度范圍�-55℃至150�
  封裝�(lèi)型:TO-252

特�

1. 高電流增益(hFE�,適用于低輸入電流驅(qū)�(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 較低的飽和電�,有助于減少功率損耗并提升效率�
  3. 采用小型表面貼裝封裝(TO-252�,便于實(shí)�(xiàn)高密度PCB�(shè)�(jì)�
  4. 工作溫度范圍�,適合惡劣環(huán)境下的使用�
  5. �(wěn)定性好,能夠承受一定的電氣和熱沖擊�

�(yīng)�

1. 功率放大器電路中的開(kāi)�(guān)元件�
  2. 直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)晶體��
  3. 各種家用電器及工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. LED�(qū)�(dòng)電路中的電流�(diào)節(jié)組件�
  5. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的驅(qū)�(dòng)晶體��
  6. 繼電器驅(qū)�(dòng)和電磁閥控制等需要高電流處理能力的場(chǎng)景�

替代型號(hào)

2SD1386T100R, DTC1386T100R

2sb1386t100r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

2sb1386t100r資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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2sb1386t100r參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)5A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)20V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 100mA�4A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)180 @ 500mA�2V
  • 功率 - 最�2W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�120MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-243AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�MPT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)2SB1386T100R-ND2SB1386T100RTR