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2SD1950-T1-AZ 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 1:31:20 查看 閱讀�11

2SD1950-T1-AZ是一種NPN型雙極性晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻和高功率放大電路中。該型號的晶體管具有較高的增�、低噪聲特性以及優(yōu)良的頻率響應(yīng)性能,適用于射頻(RF)放大器、混頻器以及其他需要高性能晶體管的�(yīng)用場景�
  該器件采用TO-3金屬封裝形式,具備良好的散熱性能,能夠承受較大的電流和電�。其主要特點(diǎn)是高截止頻率(fT�、低飽和壓降和較高的集電�-�(fā)射極擊穿電壓(VCEO)。這種晶體管通常用于通信�(shè)�、廣播系�(tǒng)以及工業(yè)級電子應(yīng)用�

參數(shù)

最大集電極電流�8A
  集電�-�(fā)射極擊穿電壓�120V
  �(fā)射極-基極擊穿電壓�7V
  最大耗散功率�60W
  直流電流增益(hFE):20-100
  特征頻率(fT):400MHz
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

2SD1950-T1-AZ是一款專為高頻應(yīng)用設(shè)計的晶體�,其主要特點(diǎn)如下�
  1. 高頻性能:具有高�(dá)400MHz的特征頻率(fT),適合在高頻段工作的射頻放大器�
  2. 高增益:直流電流增益(hFE)范圍為20�100,在放大�(yīng)用中提供了足夠的增益�
  3. 大功率處理能力:最大耗散功率可達(dá)60W,使其適用于大功率輸出級電路�
  4. 良好的熱�(wěn)定性:采用了TO-3金屬封裝,確保了高效的散熱性能,并能適�(yīng)較寬的工作溫度范圍�
  5. 高耐壓:集電極-�(fā)射極擊穿電壓�(dá)�120V,可承受較高的電壓環(huán)境�
  這些特性使得該晶體管成為射頻功率放大器和其他高頻應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

2SD1950-T1-AZ晶體管主要用于以下領(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器:由于其高頻特性和高功率處理能力,非常適合用作射頻功率放大器的核心元件�
  2. 混頻器:在無線通信�(shè)備中,可用于�(shí)�(xiàn)信號頻率�(zhuǎn)換�
  3. 工業(yè)控制:例如高頻驅(qū)動器或開�(guān)電源中的功率輸出��
  4. 廣播系統(tǒng):在廣播�(fā)射機(jī)中作為功率放大器件使��
  5. 測試與測量設(shè)備:如頻譜分析儀或其他需要高頻放大的測試儀��
  總之,這款晶體管適用于所有需要高性能、高效率和高可靠性的高頻及高功率�(yīng)用場景�

替代型號

2SD2068, 2SC5088, MJE340

2sd1950-t1-az推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價