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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 2SK1586

2SK1586 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 12:10:33 查看 閱讀�25

2SK1586是一種N溝道MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、高功率的電子電路中。該器件由富士通(�(xiàn)為安森美半導(dǎo)體旗下品牌)制�,具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電�,適合用作射頻放大器和功率轉(zhuǎn)換器中的�(guān)鍵元��
  2SK1586在設(shè)�(jì)上注重高效能表現(xiàn),能夠滿足對(duì)性能要求較高的應(yīng)用需�,如通信�(shè)備、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他高頻功率處理�(chǎng)��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  漏源電壓(Vds)�400V
  柵源電壓(Vgs):�30V
  漏極電流(Id)�1A
  輸入電容(Ciss)�200pF
  輸出電容(Coss)�20pF
  反向傳輸電容(Crss)�10pF
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4Ω
  最大耗散功率(Pd)�90W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

2SK1586具備高耐壓能力,適用于高達(dá)400V的工作環(huán)�,同�(shí)其漏極電流可以達(dá)�1A,保證了較強(qiáng)的負(fù)載驅(qū)�(dòng)能力�
  該器件的低導(dǎo)通電阻使其在�(dǎo)通狀�(tài)下能夠減少能量損耗,提高整體效率�
  另外,由于其電容值相�(duì)較小,特別是在輸出電容和反向傳輸電容方面,因此非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用。此��2SK1586能夠在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工作,確保了在惡劣�(huán)境下的可靠��
  其快速開�(guān)特性和較低的柵極電荷量�(jìn)一步增�(qiáng)了其在高頻射頻應(yīng)用中的表�(xiàn)�

�(yīng)�

2SK1586主要�(yīng)用于高頻功率�(zhuǎn)換電�、射頻功率放大器以及各類通信�(shè)備中。例�,在�(wú)線電通信、衛(wèi)星通信和雷�(dá)系統(tǒng)等需要高效率、高可靠性的�(chǎng)景下,這款MOSFET可以�(fā)揮重要作用�
  它還可以用于音頻功率放大器的�(shè)�(jì),提供清晰且不失真的聲音輸出�
  此外�2SK1586也可被用作開�(guān)電源中的功率開關(guān),以�(shí)�(xiàn)高效的直�-直流�(zhuǎn)��

替代型號(hào)

2SK2070
  2SK2447
  IRFP250N

2sk1586推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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