2SK209-GR是一種N溝道MOSFET功率晶體�,屬于雙極型晶體管系�,廣泛應(yīng)用于高頻放大器、開�(guān)電源以及射頻電路等場�。該型號以其低導(dǎo)通電阻和高增益特性著�,適用于需要高效能輸出的電子設(shè)��2SK209-GR采用TO-3P封裝形式,具備較高的耐用性和散熱性能,使其在工業(yè)級和消費級應(yīng)用中均有良好的表�(xiàn)�
最大集電極電流�6A
最大集電極-�(fā)射極電壓�120V
最大柵�-源極電壓:�25V
最大功耗:75W
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
增益(hFE):40-120
工作溫度范圍�-55℃至+150�
2SK209-GR具有較低的導(dǎo)通電�,能夠有效減少功率損�,提升整體效��
其高增益特性使得該器件非常適合用于信號放大的場��
由于采用了TO-3P封裝,該晶體管具備優(yōu)良的散熱性能,可承受較高功率的應(yīng)用環(huán)��
此外�2SK209-GR的工作溫度范圍較�,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運行�
該晶體管主要�(yīng)用于高頻功率放大器的�(shè)計中,例如業(yè)余無線電�(shè)備和廣播�(shè)��
在開�(guān)電源�(lǐng)��2SK209-GR可以作為高效的開�(guān)元件使用�
此外,它也常見于音頻功率放大�、電機驅(qū)動電路以及其他需要高性能功率管理的場��
2SK209-GS, 2SC4241