2SK209-GR是一種N溝道MOSFET功率晶體管,屬于雙極型晶體管系列,廣泛應(yīng)用于高頻放大器、開關(guān)電源以及射頻電路等場景。該型號以其低導(dǎo)通電阻和高增益特性著稱,適用于需要高效能輸出的電子設(shè)備。2SK209-GR采用TO-3P封裝形式,具備較高的耐用性和散熱性能,使其在工業(yè)級和消費級應(yīng)用中均有良好的表現(xiàn)。
最大集電極電流:6A
最大集電極-發(fā)射極電壓:120V
最大柵極-源極電壓:±25V
最大功耗:75W
導(dǎo)通電阻:0.18Ω
增益(hFE):40-120
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
2SK209-GR具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損耗,提升整體效率。
其高增益特性使得該器件非常適合用于信號放大的場景。
由于采用了TO-3P封裝,該晶體管具備優(yōu)良的散熱性能,可承受較高功率的應(yīng)用環(huán)境。
此外,2SK209-GR的工作溫度范圍較廣,能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定運行。
該晶體管主要應(yīng)用于高頻功率放大器的設(shè)計中,例如業(yè)余無線電設(shè)備和廣播設(shè)備。
在開關(guān)電源領(lǐng)域,2SK209-GR可以作為高效的開關(guān)元件使用。
此外,它也常見于音頻功率放大器、電機驅(qū)動電路以及其他需要高性能功率管理的場合。
2SK209-GS, 2SC4241