2SK3018 KN是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻放大�、射頻開�(guān)以及低噪聲放大場�。該型號(hào)以其�(yōu)良的高頻特性和低噪聲性能而著�,廣泛用于通信�(shè)備、無線模塊以及其他射頻相�(guān)�(yīng)用中�
這款器件通常被設(shè)�(jì)在高頻電路中以實(shí)�(xiàn)信號(hào)放大的功能,同時(shí)由于其高線性度和低失真特�,能夠滿足對(duì)性能要求較高的場合需��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�0.3A
輸入電容(Ciss):約15pF
輸出電容(Coss):約2pF
極間電容(Cgd):約0.7pF
跨導(dǎo)(S)�3.5mA/V
噪聲系數(shù)(NF)�0.6dB@1GHz
工作溫度范圍�-55� to +150�
2SK3018 KN具有�(yōu)秀的高頻響�(yīng)能力,適合用作射頻功率放大器中的核心元件。其低噪聲性能使其成為射頻接收�(jī)前端的理想選�。此外,該器件具備良好的線性度,能夠在大動(dòng)�(tài)范圍�(nèi)維持�(wěn)定的增益表現(xiàn)�
由于其較小的寄生電容值(如Coss和Cgd�,可以顯著減少開�(guān)損耗并提高工作效率。另�,其高可靠性和�(wěn)定性也確保了長�(shí)間運(yùn)行下的性能一致��
典型特點(diǎn)包括但不限于�
- 高頻工作能力
- 極低噪聲
- �(wěn)定的直流參數(shù)
- 良好的熱�(wěn)定�
- 小封裝尺寸便于PCB布局
該MOSFET適用于各種需要高性能射頻處理的電子設(shè)備中,具體應(yīng)用場景如下:
- 射頻功率放大�
- 無線通信模塊
- 雷達(dá)系統(tǒng)
- �(wèi)星通信終端
- 電視�(diào)諧器
- �(yī)療成像設(shè)�
- 工業(yè)自動(dòng)化控制中的高頻信�(hào)傳輸部分
由于其出色的噪聲性能和高頻特��2SK3018 KN特別適合于需要高靈敏度和快速響�(yīng)的應(yīng)用環(huán)��
2SK2928, BSS123, 2SK3019