2SK3018T是一種N溝道功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻放大�、開(kāi)�(guān)電源、音頻功放以及其他需要高性能�(kāi)�(guān)和線性應(yīng)用的�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻率和高效率要求的電路中使用�
2SK3018T采用TO-252小型表面貼裝封裝,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中應(yīng)�,同�(shí)提供良好的散熱性能�
最大漏源電壓:70V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:6A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
輸入電容�450pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值)�20ns
功耗:40W
2SK3018T具備出色的高頻性能,其快速開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其在�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此外,它具有較高的電流承載能�,能夠在重負(fù)載條件下�(wěn)定工作�
器件還采用了表面貼裝技�(shù),有助于減少安裝�(shí)間和提高生產(chǎn)效率�
由于其高擊穿電壓和較低的熱阻,能夠支持較寬的工作溫度范圍�-55℃至+150℃),非常適合工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)��
2SK3018T常用于高頻功率放大器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、音頻功放以及逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��
在射頻通信�(shè)備中,該器件可以作為高效的功率放大元�;在消費(fèi)類電子領(lǐng)�,可用于筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器和其他便攜式設(shè)備的電源管理�
此外,其高可靠性也使其成為工業(yè)控制和汽車電子系�(tǒng)的理想選��
2SK3018, IRFZ44N, FDP18N10