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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 2SK3018T

2SK3018T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 17:28:54 查看 閱讀�23

2SK3018T是一種N溝道功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻放大�、開(kāi)�(guān)電源、音頻功放以及其他需要高性能�(kāi)�(guān)和線性應(yīng)用的�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻率和高效率要求的電路中使用�
  2SK3018T采用TO-252小型表面貼裝封裝,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中應(yīng)�,同�(shí)提供良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:70V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:6A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  輸入電容�450pF
  �(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值)�20ns
  功耗:40W

特�

2SK3018T具備出色的高頻性能,其快速開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其在�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  此外,它具有較高的電流承載能�,能夠在重負(fù)載條件下�(wěn)定工作�
  器件還采用了表面貼裝技�(shù),有助于減少安裝�(shí)間和提高生產(chǎn)效率�
  由于其高擊穿電壓和較低的熱阻,能夠支持較寬的工作溫度范圍�-55℃至+150℃),非常適合工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

2SK3018T常用于高頻功率放大器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、音頻功放以及逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��
  在射頻通信�(shè)備中,該器件可以作為高效的功率放大元�;在消費(fèi)類電子領(lǐng)�,可用于筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器和其他便攜式設(shè)備的電源管理�
  此外,其高可靠性也使其成為工業(yè)控制和汽車電子系�(tǒng)的理想選��

替代型號(hào)

2SK3018, IRFZ44N, FDP18N10

2sk3018t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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