SENC23T15V2BA 是一款高性能的氮化鎵 (GaN) 功率晶體�,專為高頻開關應用設�。該器件采用先進的增強� GaN 技術,具有極低的導通電阻和快速的開關速度,可顯著提高功率轉換效率并減小系�(tǒng)尺寸�
該器件適用于 DC-DC 轉換�、AC-DC 電源、電機驅動以及其它需要高效能和高頻率操作的應用場景。其封裝形式� TO-263,能夠有效提升散熱性能�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:45mΩ
柵極電荷�7nC
反向恢復時間�30ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:TO-263
SENC23T15V2BA 具備以下關鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可以減少傳導損�,從而提高整體效��
2. 快速的開關速度,使得器件能夠在高頻下運�,同時降低開關損耗�
3. 內置保護功能,如過流保護和熱關斷機制,確保在極端條件下的可靠��
4. 高擊穿電壓能力,使其適合各種高壓應用場景�
5. 出色的熱性能,結� TO-263 封裝,提供更好的散熱效果以支持高功率應用�
6. 緊湊的設計有助于簡化 PCB 布局并降低系�(tǒng)成本�
SENC23T15V2BA 廣泛應用于多種領域:
1. 開關電源 (SMPS),包括適配器和充電器�
2. 電動工具和家用電器中的無刷直流電機驅��
3. 新能源汽車的車載充電� (OBC) � DC-DC 轉換器�
4. 工業(yè)自動化設備中的高頻逆變器和電源模塊�
5. �(shù)�(jù)中心服務器的高效電源管理解決方案�
6. 可再生能源領域的光伏逆變器和儲能系統(tǒng)�
SENC23T10V2BA
SENC23T20V2BA