類型:N溝道MOSFET
最大耗散功率�15W
漏源擊穿電壓�60V
柵極閾值電壓:-1.5V to -4.0V
漏極電流(連續(xù)):2A
跨導(dǎo)�3500μS
輸入電容�500pF
輸出電容�400pF
�(jié)電容�250pF
封裝形式:TO-39
2SK3078具有以下主要特性:
1. 高增益性能,在射頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
2. 低導(dǎo)通電�,有助于提高效率�
3. 線性度好,可減少失��
4. 工作頻率范圍寬,適合VHF和UHF頻段�
5. 封裝緊湊且散熱性能良好,便于集成到射頻模塊��
6. 可靠性高,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖��
2SK3078的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 射頻功率放大�
2. 混頻�
3. �(diào)制解�(diào)�
4. 無線通信�(shè)�
5. �(yè)余無線電�(fā)射機(jī)
6. 測試與測量儀器中的信號放�
7. 其他需要高性能射頻放大的場�
2SK2915, 2SK2307