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ES45P4N3-B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 16:47:12 查看 閱讀�28

ES45P4N3-B 是一款高性能� N 治金�(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛用于消�(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)��
  � NMOS 器件通過(guò)�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),可顯著降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。同�(shí),其緊湊的封裝形式也使其非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

ES45P4N3-B 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻以減少功率損�,從而提高能�;具備快速開�(guān)能力,支持高頻操�,有助于減小�(wú)源元件尺寸并提升功率密度;擁有強(qiáng)大的雪崩能力和高可靠�,適合嚴(yán)苛的工作�(huán)�;采用行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-263 封裝,便于安裝和散熱管理�
  此外,這款 NMOS 器件還具有低輸入電容和輸出電容,�(jìn)一步提升了�(dòng)�(tài)性能,并�(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)。這些特點(diǎn)共同確保� ES45P4N3-B 在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在需要高效功率傳輸和快速響�(yīng)的場(chǎng)��

�(yīng)�

ES45P4N3-B 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)、電池管理系�(tǒng)、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高性能功率開關(guān)的領(lǐng)�。由于其�(yōu)秀的熱特性和大電流承載能力,它特別適合于要求�(yán)格的大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,該器件可用于筆記本電腦適配�、平板電視電源以及智能手�(jī)快充模塊等產(chǎn)品。而在工業(yè)�(lǐng)�,它可以作為伺服控制器、不間斷電源(UPS)和焊接�(shè)備中的關(guān)鍵組�。另外,在汽車電子方�,ES45P4N3-B 還能滿足車載充電�、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)及混合動(dòng)力汽車動(dòng)力總成的需求�

替代型號(hào)

ES45P4N3-A, IRFZ44N, FDP55N20

es45p4n3-b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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