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35GH1197CL 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 18:16:41 查看 閱讀:31

35GH1197CL 是一款高性能的 GaN(氮化鎵)功率晶體管,采用增強(qiáng)型設(shè)計(jì)。該器件具有高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高效率等特點(diǎn),適用于高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝封裝,便于大規(guī)模生產(chǎn)和使用。
  35GH1197CL 主要用于需要高效率和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景,例如服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和無(wú)線充電系統(tǒng)等。

參數(shù)

額定電壓:650V
  額定電流:12A
  導(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷:35nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝類(lèi)型:TO-247-3

特性

35GH1197CL 具備卓越的電氣性能和可靠性。其主要特性包括:
  1. 高頻操作能力:由于采用了先進(jìn)的 GaN 技術(shù),能夠支持高達(dá)數(shù) MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,從而顯著減小磁性元件的體積。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 8mΩ,確保了在高電流負(fù)載下的高效運(yùn)行。
  3. 熱穩(wěn)定性:器件能夠在最高 175°C 的結(jié)溫下穩(wěn)定工作,適應(yīng)高溫環(huán)境。
  4. 小尺寸封裝:與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,該器件的封裝更緊湊,節(jié)省 PCB 空間。
  5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù):增強(qiáng)了器件的抗靜電能力,提高了系統(tǒng)的整體可靠性。
  這些特點(diǎn)使 35GH1197CL 成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

應(yīng)用

35GH1197CL 廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源:
   - 實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度的 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
  2. 通信電源:
   - 在基站和其他通信設(shè)備中提供高效的電源管理。
  3. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:
   - 用于快速充電器和適配器,支持更高的充電速度和效率。
  4. 工業(yè)應(yīng)用:
   - 包括工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。
  5. 新能源:
   - 太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車(chē)車(chē)載充電器等新能源相關(guān)應(yīng)用。
  這款芯片通過(guò)其卓越的性能表現(xiàn),在眾多應(yīng)用中提供了出色的解決方案。

替代型號(hào)

35GH1197CP, 35NH0120GL

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