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3DFO2G08VS4215SSA00M 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 10:34:50 查看 閱讀�20

3DFO2G08VS4215SSA00M 是一款基� 3D Flash 技�(shù)的存儲芯�,由 Intel 推出。該器件采用了先進的三維堆疊技�(shù),能夠在有限的空間內(nèi)提供更高的存儲密度和更快的數(shù)�(jù)訪問速度。這款芯片主要面向企業(yè)級存儲應(yīng)�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、數(shù)�(jù)中心存儲系統(tǒng)等。其�(shè)計優(yōu)化了寫入性能、耐用性和能耗表�(xiàn),同時支持高吞吐量數(shù)�(jù)傳輸�

參數(shù)

容量�2GB
  接口類型:ONFI 4.0
  工作電壓�1.8V
  存儲單元�(jié)�(gòu):TLC(Triple-Level Cell�
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�169
  最大順序讀取速度�400 MB/s
  最大順�?qū)懭胨俣龋?00 MB/s
  擦寫壽命�1000 �

特�

3DFO2G08VS4215SSA00M 的核心優(yōu)勢在于其采用 3D NAND 技�(shù),與傳統(tǒng)平面 NAND 相比,它通過垂直堆疊存儲單元來實�(xiàn)更高密度的存儲能��
  此外,這款芯片支持 ONFI 4.0 接口�(guī)�,具備低延遲和高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)奶攸c。在功耗管理方�,該器件能夠根據(jù)負載動態(tài)�(diào)整能�,從而降低整體運行成��
  可靠性方��3DFO2G08VS4215SSA00M 提供了增強型糾錯算法(ECC)以及磨損均衡機制,確保長期使用中的�(shù)�(jù)完整�。同時,� TLC 存儲單元�(jié)�(gòu)在提供較高性價比的同時,仍能保持足夠的耐用��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于高性能存儲�(shè)備中,包括消費級和企�(yè)� SSD�
  在數(shù)�(jù)中心�(lǐng)��3DFO2G08VS4215SSA00M 能夠滿足大規(guī)模數(shù)�(jù)存儲和快速檢索的需��
  此外,它還適用于嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等需要高可靠性和大容量存儲的場景�

替代型號

3DFO4G16VS4215SSA00M
  3DFO2G08VS4215SSB00M

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