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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NSD914XV2T5G

NSD914XV2T5G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 13:40:48 查看 閱讀�21

NSD914XV2T5G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝和封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度以及高電流承載能力等特點(diǎn)。該芯片廣泛�(yīng)用于各種電源管理�(chǎng)�,例如直�-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其�(shè)�(jì)旨在滿足高效能和高可靠性的需�,同�(shí)提供緊湊的尺寸以適應(yīng)�(xiàn)代電子設(shè)備的小型化趨�(shì)�
  NSD914XV2T5G 的封裝形式為 VFQFN (2mm x 2mm),非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�7.8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  總功耗:1.6W
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

NSD914XV2T5G 提供了非常低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低導(dǎo)通損�,從而提高整體效率。其快速的�(kāi)�(guān)速度有助于減少開(kāi)�(guān)損�,并且可以支持高頻操�。此�,該芯片具備�(yōu)異的熱性能,能夠在較高的結(jié)溫下�(wěn)定運(yùn)��
  其小型化� VFQFN 封裝使得它非常適合便攜式電子�(chǎn)品中的應(yīng)�。同�(shí),芯片內(nèi)部集成有多種保護(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和過(guò)溫關(guān)�,確保在異常情況下不�(huì)�(duì)系統(tǒng)造成損害�
  這款器件還經(jīng)�(guò)�(yán)格的可靠性測(cè)�,保證在�(zhǎng)期使用中保持高度�(wěn)定性�

�(yīng)�

NSD914XV2T5G 主要用于需要高效功率切換的�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
  4. 電機(jī)控制電路
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制
  由于其高電流能力和低�(dǎo)通電�,這款芯片特別適合要求高效率和小體積的�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

NSD914P, BSC010N06LS G, FDS8943

nsd914xv2t5g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nsd914xv2t5g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�8,000 : �0.42977卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)�(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1 V @ 10 mA
  • 速度小信�(hào) =< 200mA(Io�,任意速度
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)4 ns
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏5 μA @ 75 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容4pF @ 0V�1 MHz
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 供應(yīng)商器件封�DO-214AA(SMB�
  • 工作溫度 - �(jié)-55°C ~ 150°C