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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 3HX03FBC06GR

3HX03FBC06GR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 11:38:25 查看 閱讀�22

3HX03FBC06GR 是一款由 ON Semiconductor 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場�。其采用 TO-263 封裝形式,能夠有效降低熱阻并提升散熱性能�
  該型號廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等場景中。通過�(yōu)化溝道設(shè)�(jì)和封裝工��3HX03FBC06GR 在效率和可靠性方面表�(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.1A
  �(dǎo)通電阻:75mΩ
  柵極電荷�9nC
  開關(guān)�(shí)間:典型� 8ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

3HX03FBC06GR 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少功率損耗并提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力,有助于在高頻應(yīng)用中保持�(yōu)異性能�
  3. 高度可靠� TO-263 封裝形式,提供良好的�(jī)械穩(wěn)定性和熱傳�(dǎo)性能�
  4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件下的運(yùn)行需��
  5. �(nèi)置靜電放電(ESD)保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用��

�(yīng)�

這款 MOSFET 器件適合于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載控制和保護(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和繼電器替代方案�
  5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�

替代型號

NTMFS4C63N, IRFZ44N

3hx03fbc06gr推薦供應(yīng)� 更多>

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