500R15N221JV4T是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于功率器件系�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及各種需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�。其封裝形式為T(mén)O-247,適合大電流和高散熱需求的�(yīng)用環(huán)��
500R15N221JV4T中的�(guān)鍵參�(shù)定義了其在高壓電路中的表�(xiàn)能力,同�(shí)具備良好的穩(wěn)定性和可靠�,能夠適�(yīng)惡劣的工作條��
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�1500V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�5A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�0.6Ω(典型�,V_GS=10V�
功�(P_TOT)�150W
�(jié)溫范�(T_J)�-55℃至+175�
封裝:TO-247
這款高壓MOSFET具有以下顯著特性:
1. 高耐壓性能:支持高�(dá)1500V的漏源電�,適用于高壓工業(yè)�(yīng)用�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度:由于較低的輸入和輸出電�,可以實(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)頻率,從而提高效��
3. �(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫或極端環(huán)境下,也能保持穩(wěn)定的電氣性能�
4. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅�0.6Ω,有助于降低功率損��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�(jì),滿足國(guó)際法�(guī)要求�
6. 高可靠性和�(zhǎng)壽命:通過(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制和�(cè)試流程,確保�(chǎn)品在�(zhǎng)期使用中表現(xiàn)出色�
500R15N221JV4T適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主�(kāi)�(guān)元件,用于提升效率和�(wěn)定��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,用于控制電�(jī)的速度和方��
3. 太陽(yáng)能逆變器:將直流電�(zhuǎn)換為交流�,提供高效的能量�(zhuǎn)換�
4. 不間斷電�(UPS):在緊急情況下保障供電�(zhì)��
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電站:�(shí)�(xiàn)快速充電功能的同時(shí)保證安全性�
6. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器:在通信基站和其他需要高效轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中使用�
500R15N221K, 500R15N221L