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5962-9151901MPA 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 14:14:15 查看 閱讀：24

5962-9151901MPA 是一款軍用級(jí)單片微波集成電路 (Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)，專為高頻通信和雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該芯片采用砷化鎵 (GaAs) 工藝制造，具有高可靠性、低噪聲和高增益的特點(diǎn)。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括衛(wèi)星通信、雷達(dá)接收機(jī)和射頻前端模塊。此外，由于其符合軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-PRF-38534，能夠在極端溫度和惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。

參數(shù)

類型：MMIC放大器
　　工作頻率范圍：2 GHz 至 18 GHz
　　增益：15 dB
　　噪聲系數(shù)：2.5 dB
　　輸出功率（1 dB 壓縮點(diǎn)）：+10 dBm
　　輸入匹配：20 dB
　　輸出匹配：20 dB
　　電源電壓：+5 V
　　靜態(tài)電流：100 mA
　　封裝形式：陶瓷扁平封裝 (Ceramic Flatpack)
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +125°C

特性

5962-9151901MPA 的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓越的射頻性能和環(huán)境適應(yīng)能力。首先，它在寬頻帶范圍內(nèi)提供了穩(wěn)定的增益和低噪聲表現(xiàn)，適用于多種高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
　　其次，由于采用了 GaAs 工藝，該芯片能夠在高功率密度下運(yùn)行，同時(shí)具備較高的抗輻射能力，適合空間和軍事用途。
　　此外，該器件通過(guò)了 MIL-STD-883 系列測(cè)試，確保在振動(dòng)、沖擊和極端溫度條件下的可靠性。
　　最后，其小型化的陶瓷封裝設(shè)計(jì)便于集成到緊湊型系統(tǒng)中，同時(shí)提供了良好的熱管理和電磁屏蔽效果。

應(yīng)用

5962-9151901MPA 廣泛應(yīng)用于需要高性能射頻處理的領(lǐng)域。典型應(yīng)用包括：
　　1. 軍用雷達(dá)系統(tǒng)中的低噪聲放大器 (LNA) 階段。
　　2. 衛(wèi)星通信終端設(shè)備的射頻前端模塊。
　　3. 地面站接收機(jī)的增益級(jí)設(shè)計(jì)。
　　4. 測(cè)試與測(cè)量?jī)x器中的寬帶信號(hào)增強(qiáng)。
　　5. 航空電子設(shè)備中的數(shù)據(jù)鏈路組件。
　　6. 醫(yī)療成像系統(tǒng)的高頻信號(hào)調(diào)理部分。

替代型號(hào)

5962-9151902MMA
　　5962-9151903MMC
　　5962-9151904MMD

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5962-9151901mpa參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列Military, MIL-STD-883
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 放大器類型J-FET
  • 電路數(shù)2
  • 輸出類型-
  • 壓擺率22V/μs
  • 增益帶寬積4.7 MHz
  • -3db 帶寬-
  • 電流 - 輸入偏置30 pA
  • 電壓 - 輸入補(bǔ)償200 μV
  • 電流 - 供電5.6mA
  • 電流 - 輸出/通道36 mA
  • 電壓 - 跨度（最小值）9 V
  • 電壓 - 跨度（最大值）36 V
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼8-CDIP（0.300"，7.62mm）
  • 供應(yīng)商器件封裝8-CERDIP