類型：雙極性晶體管
　　封裝：TO-18
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +125°C
　　集電極-發(fā)射極電壓（Vce）：50V
　　集電極電流（Ic）：1A
　　增益帶寬積（fT）：8GHz
　　功率耗散：600mW
　　存儲濕度敏感度：無

59628770002EA 具有以下顯著特性：
　　1. 高頻性能：由于采用先進(jìn)的硅鍺（SiGe）技術(shù)，該晶體管具備高達(dá) 8GHz 的增益帶寬積，非常適合射頻（RF）和高速模擬電路應(yīng)用。
　　2. 軍用級可靠性：通過嚴(yán)格的 MIL-PRF-38534 標(biāo)準(zhǔn)測試，確保其能夠在極端溫度和振動環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。
　　3. 高溫穩(wěn)定性：其設(shè)計(jì)能夠承受從 -55°C 到 +125°C 的工作溫度范圍，適應(yīng)惡劣的工作條件。
　　4. 小型化封裝：TO-18 封裝提供了緊湊的外形尺寸，同時(shí)保持了良好的散熱性能。
　　5. 應(yīng)用靈活性：適用于各種高性能放大器、開關(guān)電路以及信號調(diào)節(jié)模塊。

59628770002EA 常用于以下場景：
　　1. 航空航天電子設(shè)備中的高頻放大器和混頻器。
　　2. 國防通信系統(tǒng)中的射頻前端模塊。
　　3. 工業(yè)自動化控制中的高性能模擬信號處理電路。
　　4. 測試與測量儀器中的精密放大電路。
　　5. 高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路。

59628770001EA, 59628770003EA