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5AGXBB3D4F40C5N 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:17:26 查看 閱讀�10

5AGXBB3D4F40C5N 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻率和高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)和場效應(yīng)晶體管技�(shù),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻并提高開關(guān)性能。它通常�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)電子�(shè)備中�
  此芯片具有出色的熱特性和電氣�(wěn)定性,在高頻工作環(huán)境下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和較高的可靠�,非常適合要求嚴(yán)格的電力電子系統(tǒng)�

參數(shù)

型號�5AGXBB3D4F40C5N
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�15A
  最大脈沖漏極電�(Ip)�80A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.12Ω(在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg)�50nC
  輸入電容(Ciss)�1200pF
  輸出電容(Coss)�35pF
  反向恢復(fù)時間(trr)�45ns
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�

特�

5AGXBB3D4F40C5N 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
  2. 快速開�(guān)速度和較小的柵極電荷 Qg,可以有效降低開�(guān)損��
  3. 高耐壓能力(高�(dá)650V),適用于廣泛的高壓�(yīng)用場��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和散熱性能,確保長期運(yùn)行中的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色制造需��
  6. 小型化封裝設(shè)計,節(jié)省電路板空間同時便于安裝與維�(hù)�
  這些特性使該器件成為高效率電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選�,尤其是在需要快速切換和低功耗的�(yīng)用場��

�(yīng)�

5AGXBB3D4F40C5N 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 逆變器和不間斷電�(UPS) 系統(tǒng)�
  3. 工業(yè)電機(jī)控制和伺服驅(qū)��
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)��
  5. 電動汽車(EV) 充電器及電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  6. LED �(qū)動器和高效照明解決方��
  其高耐壓和低損耗特性使其成為許多高�、大電流�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

IRF840A
  FDP5800
  STP15NM65W
  IXYS20N65C3

5agxbb3d4f40c5n推薦供應(yīng)� 更多>

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