5AGXBB3D4F40C5N 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻率和高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)和場效應(yīng)晶體管技�(shù),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻并提高開關(guān)性能。它通常�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)電子�(shè)備中�
此芯片具有出色的熱特性和電氣�(wěn)定性,在高頻工作環(huán)境下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和較高的可靠�,非常適合要求嚴(yán)格的電力電子系統(tǒng)�
型號�5AGXBB3D4F40C5N
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�15A
最大脈沖漏極電�(Ip)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.12Ω(在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�50nC
輸入電容(Ciss)�1200pF
輸出電容(Coss)�35pF
反向恢復(fù)時間(trr)�45ns
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
5AGXBB3D4F40C5N 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
2. 快速開�(guān)速度和較小的柵極電荷 Qg,可以有效降低開�(guān)損��
3. 高耐壓能力(高�(dá)650V),適用于廣泛的高壓�(yīng)用場��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和散熱性能,確保長期運(yùn)行中的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色制造需��
6. 小型化封裝設(shè)計,節(jié)省電路板空間同時便于安裝與維�(hù)�
這些特性使該器件成為高效率電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選�,尤其是在需要快速切換和低功耗的�(yīng)用場��
5AGXBB3D4F40C5N 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 逆變器和不間斷電�(UPS) 系統(tǒng)�
3. 工業(yè)電機(jī)控制和伺服驅(qū)��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)��
5. 電動汽車(EV) 充電器及電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. LED �(qū)動器和高效照明解決方��
其高耐壓和低損耗特性使其成為許多高�、大電流�(yīng)用的理想選擇�
IRF840A
FDP5800
STP15NM65W
IXYS20N65C3