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時(shí)間：2025/4/29 9:37:29
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5AGXFB3H4F35I5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能，適用于需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng)。
這款功率 MOSFET 的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于減少能量損耗，同時(shí)提供快速的開關(guān)速度和穩(wěn)定的電氣特性，確保在高頻率工作條件下的穩(wěn)定性。
類型：N-Channel MOSFET
額定電壓：650V
額定電流：20A
導(dǎo)通電阻：45mΩ
柵極電荷：85nC
最大功耗：180W
封裝形式：TO-247
5AGXFB3H4F35I5N 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有效降低導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
2. 快速開關(guān)能力，支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效的開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
3. 高額定電壓和電流，可承受較大的功率負(fù)載，滿足工業(yè)應(yīng)用需求。
4. 優(yōu)秀的熱性能設(shè)計(jì)，通過優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高效的散熱管理。
5. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件在惡劣環(huán)境中的可靠性。
6. 緊湊型封裝，易于集成到各種電路板設(shè)計(jì)中。
5AGXFB3H4F35I5N 廣泛應(yīng)用于多種高功率場(chǎng)景：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主功率開關(guān)元件。
2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路。
3. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器的關(guān)鍵組件。
5. 各類負(fù)載切換及保護(hù)電路。
6. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中的功率級(jí)器件。
IRFP460, FQA20065, STP200N60F5
