5AGXFB3H4F35I5N 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等高功率應(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能,適用于需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng)�
這款功率 MOSFET 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于減少能量損耗,同時(shí)提供快速的開關(guān)速度和穩(wěn)定的電氣特�,確保在高頻率工作條件下的穩(wěn)定性�
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�20A
�(dǎo)通電阻:45mΩ
柵極電荷�85nC
最大功耗:180W
封裝形式:TO-247
5AGXFB3H4F35I5N 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低導(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效的開關(guān)電源�(shè)�(jì)�
3. 高額定電壓和電流,可承受較大的功率負(fù)�,滿足工�(yè)�(yīng)用需��
4. �(yōu)秀的熱性能�(shè)�(jì),通過�(yōu)化的封裝�(jié)�(gòu)�(shí)�(xiàn)高效的散熱管��
5. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境中的可靠��
6. 緊湊型封�,易于集成到各種電路板設(shè)�(jì)��
5AGXFB3H4F35I5N 廣泛�(yīng)用于多種高功率場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開關(guān)元件�
2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
3. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器的�(guān)鍵組件�
5. 各類�(fù)載切換及保護(hù)電路�
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的功率�(jí)器件�
IRFP460, FQA20065, STP200N60F5