5SGSMD5K2F40I3LN 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和功率轉(zhuǎn)換等場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻條件下提供高效的功率�(zhuǎn)��
該型號屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適合用作電子開�(guān)或放大器。其封裝形式� TO-263,能夠承受較高的電流和電�,并且具有良好的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
總功耗:160W
工作溫度范圍�-55� � 150�
5SGSMD5K2F40I3LN 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高電流承載能�,能夠滿足大功率�(shè)備的需��
4. �(wěn)定的電氣性能,即使在極端溫度條件下也能保持可靠性�
5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱傳�(dǎo)性能,確保長期穩(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. LED 照明�(qū)�(dòng)和高功率音頻放大��
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L