600L0R6AW200T 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高效率、低損耗應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
其封裝形式為 TO-247-3,能夠提供良好的散熱性能,并支持大電流應(yīng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:6mΩ
柵極電荷�95nC
�(kāi)�(guān)頻率�100kHz
�(jié)溫范圍:-55� � 175�
1. 超低�(dǎo)通電阻,有助于減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
3. 高額定電壓(600V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足多種功率需求�
5. 先�(jìn)的封裝技�(shù),優(yōu)化了熱管理和電氣性能�
6. 支持較寬的工作溫度范�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 新能源汽車中的逆變�
6. 太陽(yáng)能微逆變�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
由于其卓越的性能表現(xiàn),該器件成為許多高功率密度設(shè)�(jì)的理想選��
600L0R7AW200T, IRFP460N, FDP5500