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A60L0R3BT200T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/10 8:51:31 查看 閱讀�7

A60L0R3BT200T 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該芯片的主要特點(diǎn)是優(yōu)化了�(kāi)�(guān)損耗與�(dǎo)通損耗之間的平衡,從而提高了整體效率。此�,其�(jiān)固的�(shè)�(jì)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):A60L0R3BT200T
  類型:MOSFET
  封裝形式:TO-247
  最大漏源電�(Vds)�600V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�35mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�200W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  柵極電荷(Qg)�45nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�90ns(典型值)

特�

A60L0R3BT200T 具有出色的電氣性能和可靠�,具體特性如下:
  1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)600V的漏源電�,適用于高電壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 超低�(dǎo)通電阻(35mΩ典型值),有助于降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷和反向恢復(fù)�(shí)間,減少�(kāi)�(guān)損��
  4. 大電流處理能力,連續(xù)漏極電流可達(dá)18A,滿足大功率�(yīng)用需��
  5. 工作溫度范圍寬廣,支持從-55°C�+175°C的結(jié)溫范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  6. 高可靠性設(shè)�(jì),具有短路保�(hù)功能,延�(zhǎng)器件使用壽命�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)��

�(yīng)�

A60L0R3BT200T 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高可靠性的�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是隔離式和非隔離式�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 逆變器和變頻�,用于電�(jī)�(qū)�(dòng)和控制�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)�
  6. 汽車電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)控制器�
  7. UPS(不間斷電源)和其他備用電源系統(tǒng)中的�(guān)鍵功率組��

替代型號(hào)

A60L0R3BT150T, A60L0R4BT200T, IRFP460N

a60l0r3bt200t推薦供應(yīng)� 更多>

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