ACT-S128K32N-017P7Q 是一款由 Adesto Technologies 提供的非易失性存儲(chǔ)器芯片,基于 CBRAM(導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)技術(shù)。該芯片具有低功耗、快速寫(xiě)入和高耐用性的特點(diǎn),適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子以及工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域。CBRAM 技術(shù)使得這款存儲(chǔ)器在性能上優(yōu)于傳統(tǒng)的 EEPROM 和閃存產(chǎn)品。
容量:128K x 32位< br >工作電壓:1.7V 至 3.6V< br >接口類(lèi)型:SPI< br >數(shù)據(jù)保留時(shí)間:超過(guò)10年< br >工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C< br >封裝形式:WLCSP (晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)< br >擦寫(xiě)周期:高達(dá)100萬(wàn)次
ACT-S128K32N-017P7Q 的主要特點(diǎn)是其采用了先進(jìn)的 CBRAM 技術(shù),這種技術(shù)通過(guò)改變導(dǎo)電材料的結(jié)構(gòu)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),相較于傳統(tǒng)技術(shù),它能夠?qū)崿F(xiàn)更低的能耗和更快的寫(xiě)入速度。
此外,該芯片支持標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口,便于與微控制器和其他系統(tǒng)組件集成。它的小型 WLCSP 封裝非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景,并且其寬泛的工作電壓范圍提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。
由于具備高耐久性和長(zhǎng)數(shù)據(jù)保留時(shí)間,這款芯片非常適合需要頻繁數(shù)據(jù)更新或長(zhǎng)期存儲(chǔ)的場(chǎng)合。
ACT-S128K32N-017P7Q 廣泛應(yīng)用于對(duì)存儲(chǔ)器性能要求較高的領(lǐng)域。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2. 智能儀表的數(shù)據(jù)記錄功能。
3. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)保存。
4. 可穿戴設(shè)備的用戶(hù)偏好設(shè)置存儲(chǔ)。
5. 醫(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵參數(shù)備份。
這些應(yīng)用都依賴(lài)于該芯片的低功耗特性和高可靠性,從而延長(zhǎng)電池壽命并減少維護(hù)需求。
AT25DF641B-GMOHI, MX25L6406E-TI-GE, SST25VF016B-40-4CIX