AM26LV32EINSR 是一種低電壓 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),具有高速、低功耗的特性。它采用先進(jìn)的制造工藝,能夠在較低的電源電壓下運(yùn)行,同時(shí)保持較高的性能和可靠性。該芯片主要應(yīng)用于需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和低功耗的場(chǎng)景,例如通信設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。
該器件提供了較大的存儲(chǔ)容量,并且其內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化以確保在各種環(huán)境條件下的穩(wěn)定性和一致性。此外,AM26LV32EINSR 還具備多種保護(hù)機(jī)制,包括數(shù)據(jù)完整性檢查和錯(cuò)誤校正功能,從而提高了系統(tǒng)的整體可靠性。
容量:2 Mb (262144 x 8)
工作電壓:2.5V 至 3.6V
訪問(wèn)時(shí)間:5 ns / 10 ns
數(shù)據(jù)保持電壓:1.7V 至 3.6V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝形式:TSSOP-48
I/O 標(biāo)準(zhǔn):LVTTL
靜態(tài)電流:10 μA(最大值)
動(dòng)態(tài)功耗:35 mW(典型值)
1. 低功耗設(shè)計(jì)使其非常適合便攜式設(shè)備和其他對(duì)能耗敏感的應(yīng)用。
2. 高速訪問(wèn)時(shí)間確保了快速的數(shù)據(jù)處理能力。
3. 提供多種工作電壓選項(xiàng),增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性。
4. 內(nèi)置的保護(hù)功能可以有效防止數(shù)據(jù)丟失和損壞。
5. 較寬的工作溫度范圍使得該芯片適用于各種惡劣環(huán)境。
6. 小型封裝節(jié)省了電路板空間,便于高密度布局設(shè)計(jì)。
7. 具有良好的電磁兼容性,減少了對(duì)外部干擾的影響。
AM26LV32EINSR 廣泛應(yīng)用于需要高性能和低功耗存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域。具體應(yīng)用包括但不限于:
1. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2. 網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)中的緩沖區(qū)管理。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī)和游戲機(jī)的緩存存儲(chǔ)。
4. 醫(yī)療儀器中的數(shù)據(jù)記錄與處理。
5. 嵌入式系統(tǒng)中的程序代碼和數(shù)據(jù)暫存。
6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高速數(shù)據(jù)傳輸緩存。
由于其出色的性能和可靠性,AM26LV32EINSR 成為眾多應(yīng)用的理想選擇。
AM26LV32EIBMR, AM26LV32EIHMTR, IS61LV256AL-10B-T