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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > AO3400

AO3400 發(fā)布時間 時間�2024/7/5 15:02:38 查看 閱讀�1536

AO3400是一款N溝道MOSFET,屬于微小型高壓MOSFET。它是由Alpha and Omega Semiconductor公司所生產(chǎn)的一種低電阻、高電流、低電壓的MOSFET,適用于DC-DC轉換�、電源管�、負載開關等應用�
  AO3400的操作理論與普通MOSFET相同。當在門極施加正電壓�,MOSFET的導通電阻很小,電流能夠通過管子流過。當門極施加負電壓�,MOSFET的導通電阻很大,電流無法通過管子流過�

基本結構

AO3400由P型襯底、N+源區(qū)、N+漏區(qū)和通道組成。P型襯底上有一層厚度為幾個微米的氧化�,這一層氧化層通常被稱為門極氧化層。在氧化層上面,有一層接地的金屬�,這一層金屬層通常被稱為門極金屬層。在N+源區(qū)和N+漏區(qū)之間形成了一條通道,這一條通道通常被稱為溝道。當在門極金屬層上施加正電壓�,溝道中的電子被吸引到N+源區(qū),形成N溝道,電流能夠通過MOSFET�


參數(shù)

額定電流�4A
  額定電壓�30V
  靜態(tài)電阻�0.035Ω
  封裝:SOT-23

特點

1、低電阻:AO3400的靜�(tài)電阻�0.035Ω,能夠承受高電流,適合用于高功率應用�
  2、快速開關時間:AO3400的開關時間很�,能夠提高轉換效率�
  3、低漏電流:AO3400的漏電流非常小,可以減少系統(tǒng)的功��
  4、低電壓控制:AO3400的門極電壓很低,只需�2.5V,可以降低控制電路的復雜��
  5、小型封裝:AO3400采用SOT-23封裝,厚度只�1.2mm,適合于小型化應��

工作原理

AO3400是一種N溝道MOSFET,工作原理與普通MOSFET相同。當在門極施加正電壓�,MOSFET的導通電阻很小,電流能夠通過管子流過。當門極施加負電壓時,MOSFET的導通電阻很�,電流無法通過管子流過�

應用

1、DC-DC轉換器:AO3400可以用于DC-DC轉換器的輸出端,能夠提供高電流輸�,提高轉換效率�
  2、電源管理:AO3400可以用于電源管理電路中,能夠快速開�,降低功��
  3、負載開關:AO3400可以用于負載開關電路�,能夠承受高電流,提供高效的負載開關控制�

設計流程

AO3400的設計流程包括以下幾個步驟:
  1、確定應用場景:首先需要確定AO3400的應用場�,如DC-DC轉換器、電源管�、負載開關等�
  2、選擇合適的參數(shù):根�(jù)應用場景,選擇合適的參數(shù),如電壓、電�、功率等�
  3、電路設計:根據(jù)選定的參�(shù),設計AO3400的電路,包括電源供應、控制信�、保護電路等�
  4、PCB設計:將電路設計轉化為PCB布局,安排元件的位置和走�,保證電路的�(wěn)定性和可靠��
  5、元器件選型:選擇合適的元器�,如電容、電感、二極管�,以保證電路的穩(wěn)定性和可靠��
  6、焊接和測試:將元器件焊接到PCB上,進行電路測試,以確保電路的正常運��

安裝要點

1、確認AO3400的引腳位置:在安裝AO3400之前,需要確認引腳位置和排列,以確保正確安裝�
  2、清潔PCB板:在安裝AO3400之前,需要清潔PCB板,以確保元器件的良好接��
  3、適當加熱:在焊接AO3400�,需要適當加�,以確保焊接�(zhì)量和元器件的�(wěn)定��
  4、防止靜電:在安裝AO3400�,需要防止靜電干�,以避免元器件損��
  5、確保接觸良好:在安裝AO3400�,需要確保引腳和PCB板的接觸良好,以保證電路的穩(wěn)定性和可靠��

ao3400推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ao3400資料 更多>

  • 型號
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ao3400參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)5.8A(Ta�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)28 毫歐 @ 5.8A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.45V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)630 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�SOT-23-3
  • 封裝/外殼3-SMD,SOT-23-3 變式