AO4262E 時(shí)間：2025/5/7 15:40:49 閱讀：24

AO4262E是由Alpha & Omega Semiconductor（萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款增強(qiáng)型N溝道MOSFET。該器件采用超薄芯片設(shè)計(jì)，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，適用于高效率、高密度的電源管理應(yīng)用。AO4262E使用DFN5x6-8L封裝，具有非常低的熱阻和出色的散熱性能，使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
　　其額定電壓為30V，適用于各種消費(fèi)類(lèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)應(yīng)用中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步整流等場(chǎng)合。

參數(shù)

類(lèi)型：N溝道MOSFET
　　封裝：DFN5x6-8L
　　最大漏源電壓(Vds)：30V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±8V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：19A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.5mΩ @ Vgs=4.5V, 3.2mΩ @ Vgs=10V
　　總柵極電荷(Qg)：28nC
　　輸入電容(Ciss)：1440pF
　　工作溫度范圍(Ta)：-55°C至+150°C

特性

AO4262E的主要特點(diǎn)包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，在Vgs=4.5V時(shí)僅為2.5mΩ，能夠有效減少導(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 小巧的DFN5x6-8L封裝形式，節(jié)省PCB面積，同時(shí)具備優(yōu)秀的散熱性能。
　　3. 高耐壓能力，支持高達(dá)30V的工作電壓，確保在多種應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定性和可靠性。
　　4. 快速開(kāi)關(guān)性能，總柵極電荷Qg僅為28nC，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　5. 寬廣的工作溫度范圍(-55°C至+150°C)，使其適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。

應(yīng)用

AO4262E廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　2. 各種降壓和升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，如手機(jī)快充適配器、筆記本電腦電源模塊等。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率控制。
　　4. 通信設(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)器中作為開(kāi)關(guān)元件使用，提供高效穩(wěn)定的電流輸出。
　　6. 同步整流器，在反激式變換器和其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中用以提升效率。