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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AO4262E

AO4262E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:40:49 查看 閱讀�24

AO4262E是由Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)�(guó)半導(dǎo)體)生產(chǎn)的一款增�(qiáng)型N溝道MOSFET。該器件采用超薄芯片�(shè)�(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損耗,適用于高效率、高密度的電源管理應(yīng)�。AO4262E使用DFN5x6-8L封裝,具有非常低的熱阻和出色的散熱性能,使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
  其額定電壓為30V,適用于各種消費(fèi)�(lèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)�(yīng)用中的負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流等�(chǎng)��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道MOSFET
  封裝:DFN5x6-8L
  最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�19A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ @ Vgs=4.5V, 3.2mΩ @ Vgs=10V
  總柵極電�(Qg)�28nC
  輸入電容(Ciss)�1440pF
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C�+150°C

特�

AO4262E的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在Vgs=4.5V�(shí)僅為2.5mΩ,能夠有效減少導(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 小巧的DFN5x6-8L封裝形式,節(jié)省PCB面積,同�(shí)具備�(yōu)秀的散熱性能�
  3. 高耐壓能力,支持高�(dá)30V的工作電�,確保在多種�(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定性和可靠��
  4. 快速開(kāi)�(guān)性能,總柵極電荷Qg僅為28nC,有助于降低�(kāi)�(guān)損��
  5. 寬廣的工作溫度范�(-55°C�+150°C),使其適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

AO4262E廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  2. 各種降壓和升壓型DC-DC�(zhuǎn)換器,如手機(jī)快充適配�、筆記本電腦電源模塊��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和功率控��
  4. 通信�(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換�
  5. LED�(qū)�(dòng)器中作為�(kāi)�(guān)元件使用,提供高效穩(wěn)定的電流輸出�
  6. 同步整流�,在反激式變換器和其他拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)中用以提升效��

替代型號(hào)

AO4262

ao4262e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ao4262e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �3.65783卷帶(TR�
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)16.5A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)6.5 毫歐 @ 16.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1652 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-SO
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)