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AO4264E 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 20:11:34 查看 閱讀:23

AO4264E是Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及電池管理等場景。
  AO4264E的封裝形式為SOT-23-3L,這種小型化封裝使得其非常適合空間受限的設(shè)計環(huán)境。此外,由于其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)性能,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:2.9A
  導(dǎo)通電阻:15mΩ
  柵極電荷:7nC
  總電容:380pF
  工作溫度范圍:-55℃ to 150℃

特性

AO4264E具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為15mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速開關(guān)能力,柵極電荷較�。≦g=7nC),可以有效降低開關(guān)損耗。
  3. 小型SOT-23-3L封裝設(shè)計,適合緊湊型電路板布局。
  4. 高度穩(wěn)定的電氣性能,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持一致性。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制造。
  6. 可靠性高,通過了嚴(yán)格的測試流程以確保長期使用中的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

AO4264E廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。
  2. 筆記本電腦及便攜式設(shè)備中的電池保護(hù)電路。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或初級開關(guān)元件。
  4. 電機(jī)驅(qū)動中的橋式電路或PWM控制部分。
  5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的保護(hù)與切換功能。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率傳輸。

替代型號

AO4264

ao4264e推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ao4264e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格3,000 : ¥2.54180卷帶(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)13.5A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)9.8 毫歐 @ 13.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)1100 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-SO
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)