時間：2025/6/3 12:30:57
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RHTVSDF0521N-S 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負(fù)載切換等場景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力，能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的功率轉(zhuǎn)換性能。
這款 MOSFET 的封裝形式緊湊，適合空間受限的設(shè)計，同時具備出色的熱特性和電氣穩(wěn)定性，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：48A
導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5mΩ
柵極電荷：77nC
輸入電容：2000pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
RHTVSDF0521N-S 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，有助于降低功率損耗并提高效率；高電流承載能力使其適用于大功率應(yīng)用；其快速開關(guān)特性減少了開關(guān)損耗，非常適合高頻電路設(shè)計。
此外，該器件具有堅固的短路耐受能力和出色的熱穩(wěn)定性，可確保在極端條件下的可靠運行。緊湊的封裝形式進(jìn)一步提升了 PCB 布局的靈活性，并降低了整體系統(tǒng)成本。
RHTVSDF0521N-S 通常用于以下領(lǐng)域：
- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
- 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動
- 工業(yè)自動化中的負(fù)載切換
- 通信電源和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- 電池保護(hù)與管理系統(tǒng)
其卓越的性能和可靠性使其成為上述應(yīng)用的理想選擇。
RHTVSDF0521P-S, IRFZ44N, FDP55N06L
