AOD380A60C是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,主要用于高頻和高功率應(yīng)用。它采用先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),能�?qū)崿F(xiàn)卓越的開(kāi)�(guān)性能和熱管理能力。該器件適用于電源管理、通信�(shè)�、工�(yè)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
型號(hào):AOD380A60C
�(lèi)型:增強(qiáng)型MOSFET
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大漏極電流(Id):12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω
柵極電荷(Qg):70nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)5MHz
工作溫度范圍�-40℃至+125�
AOD380A60C具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此外,其高擊穿電壓使其非常適合高壓環(huán)境下的操�。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,這款器件具備更高的效率和更低的損�,有助于提升系統(tǒng)的整體性能�
GaN材料的應(yīng)用也賦予了該晶體管更�(yōu)的熱�(wěn)定性和可靠�,�(jìn)一步拓寬了其使用范��
AOD380A60C廣泛�(yīng)用于各種高要求領(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 光伏逆變�
6. 電動(dòng)汽車(chē)充電�
7. 高頻通信系統(tǒng)
這些�(yīng)用都得益于其高效�、低損耗和高溫適應(yīng)性等特點(diǎn)�
AOD380A60B, AON6945, Infineon IPW60R090C6