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AON6926 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 15:02:37 查看 閱讀:32

AON6926是Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)代半導(dǎo)體)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超小型DFN3x3-8L封裝,具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,適用于需要高效能和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)景。AON6926適合在消費(fèi)電子、通信設(shè)備及計(jì)算機(jī)外設(shè)等領(lǐng)域中作為功率開(kāi)關(guān)或負(fù)載開(kāi)關(guān)使用。
  這款MOSFET的工作電壓范圍較寬,能夠承受高達(dá)30V的漏源電壓,并且具備較低的柵極電荷,使其非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號(hào):AON6926
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  最大連續(xù)漏電流(Id):14A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.7mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷(Qg):8nC
  總電容(Ciss):1580pF
  極間電容(Coss):120pF
  工作溫度范圍(Tj):-55°C to +150°C
  封裝形式:DFN3x3-8L

特性

AON6926的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)為1.7mΩ),可以有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,得益于較小的柵極電荷(Qg=8nC),使得它非常適合高頻應(yīng)用。
  3. 小巧的DFN3x3-8L封裝,節(jié)省了印刷電路板的空間,非常適合便攜式設(shè)備和其他空間受限的設(shè)計(jì)。
  4. 較寬的工作電壓范圍(最高30V),適應(yīng)多種電源管理需求。
  5. 良好的熱穩(wěn)定性,在較高的結(jié)溫范圍內(nèi)仍能保持穩(wěn)定的性能。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  AON6926通過(guò)其高效的性能和緊湊的封裝設(shè)計(jì),成為眾多電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

AON6926廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的DC/DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)。
  2. 筆記本電腦和平板電腦中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
  3. 手機(jī)及其他便攜式設(shè)備中的電池管理。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和背光驅(qū)動(dòng)中的功率控制。
  5. 通信設(shè)備中的信號(hào)切換。
  由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特性,AON6926在各種需要高性能功率開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合都表現(xiàn)出色。

替代型號(hào)

AON6927,AON6928,AON6929

aon6926推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aon6926參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C44A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.9W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-DFN-EP(5x6)
  • 包裝帶卷 (TR)