AON6926 時(shí)間：2025/4/29 15:02:37 閱讀：32

AON6926是Alpha & Omega Semiconductor（萬(wàn)代半導(dǎo)體）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超小型DFN3x3-8L封裝，具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能，適用于需要高效能和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)景。AON6926適合在消費(fèi)電子、通信設(shè)備及計(jì)算機(jī)外設(shè)等領(lǐng)域中作為功率開(kāi)關(guān)或負(fù)載開(kāi)關(guān)使用。
　　這款MOSFET的工作電壓范圍較寬，能夠承受高達(dá)30V的漏源電壓，并且具備較低的柵極電荷，使其非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號(hào)：AON6926
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：30V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±8V
　　最大連續(xù)漏電流(Id)：14A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.7mΩ @ Vgs=10V
　　柵極電荷(Qg)：8nC
　　總電容(Ciss)：1580pF
　　極間電容(Coss)：120pF
　　工作溫度范圍(Tj)：-55°C to +150°C
　　封裝形式：DFN3x3-8L

特性

AON6926的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)為1.7mΩ），可以有效降低功耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，得益于較小的柵極電荷（Qg=8nC），使得它非常適合高頻應(yīng)用。
　　3. 小巧的DFN3x3-8L封裝，節(jié)省了印刷電路板的空間，非常適合便攜式設(shè)備和其他空間受限的設(shè)計(jì)。
　　4. 較寬的工作電壓范圍（最高30V），適應(yīng)多種電源管理需求。
　　5. 良好的熱穩(wěn)定性，在較高的結(jié)溫范圍內(nèi)仍能保持穩(wěn)定的性能。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　AON6926通過(guò)其高效的性能和緊湊的封裝設(shè)計(jì)，成為眾多電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

AON6926廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的DC/DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)。
　　2. 筆記本電腦和平板電腦中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　3. 手機(jī)及其他便攜式設(shè)備中的電池管理。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和背光驅(qū)動(dòng)中的功率控制。
　　5. 通信設(shè)備中的信號(hào)切換。
　　由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特性，AON6926在各種需要高性能功率開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合都表現(xiàn)出色。