AON6926是Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)代半�(dǎo)體)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超小型DFN3x3-8L封裝,具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能,適用于需要高效能和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)�。AON6926適合在消�(fèi)電子、通信�(shè)備及�(jì)算機(jī)外設(shè)等領(lǐng)域中作為功率�(kāi)�(guān)或負(fù)載開(kāi)�(guān)使用�
這款MOSFET的工作電壓范圍較�,能夠承受高�(dá)30V的漏源電�,并且具備較低的柵極電荷,使其非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
型號(hào):AON6926
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
最大連續(xù)漏電�(Id)�14A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.7mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷(Qg)�8nC
總電�(Ciss)�1580pF
極間電容(Coss)�120pF
工作溫度范圍(Tj)�-55°C to +150°C
封裝形式:DFN3x3-8L
AON6926的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�1.7mΩ�,可以有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,得益于較小的柵極電荷(Qg=8nC),使得它非常適合高頻應(yīng)��
3. 小巧的DFN3x3-8L封裝,節(jié)省了印刷電路板的空間,非常適合便攜式�(shè)備和其他空間受限的設(shè)�(jì)�
4. 較寬的工作電壓范圍(最�30V�,適�(yīng)多種電源管理需求�
5. 良好的熱�(wěn)定�,在較高的結(jié)溫范圍內(nèi)仍能保持�(wěn)定的性能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
AON6926通過(guò)其高效的性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì),成為眾多電源轉(zhuǎn)換和�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用的理想選擇�
AON6926廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的DC/DC�(zhuǎn)換器和開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)�
2. 筆記本電腦和平板電腦中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 手機(jī)及其他便攜式�(shè)備中的電池管理�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和背光驅(qū)�(dòng)中的功率控制�
5. 通信�(shè)備中的信�(hào)切換�
由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�,AON6926在各種需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)合都表現(xiàn)出色�
AON6927,AON6928,AON6929