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AT45DB081E-SSHN-T 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 18:09:32 查看 閱讀�23

AT45DB081E-SSHN-T � Atmel(現(xiàn)� Microchip Technology)生�(chǎn)的一款高性能串行閃存存儲�,采� SPI 接口�(jìn)行數(shù)�(jù)傳輸。該器件具有高可靠性、低功耗和快速讀寫速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于需要大容量非易失性存儲的嵌入式系�(tǒng)中。它�(nèi)置了主控制器與閃存陣�,提供獨(dú)立操作模式或映射到微控制器地址空間的靈活��
  該芯片集成了 8 Mbit 的主存儲器和 128 Kbit � SRAM 緩沖區(qū),支持多種工作電壓范�,能夠適�(yīng)不同的應(yīng)用環(huán)境�

參數(shù)

容量�8Mbit (1MB)
  接口:SPI
  工作電壓�2.7V � 3.6V
  工作溫度�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSOP-II (Thin Small Outline Package II)
  存儲區(qū)�(shù)量:256�
  每頁�?�?64字節(jié)
  擦除時間:典型� 2ms
  寫入時間:典型� 2ms

特�

AT45DB081E-SSHN-T 提供高速的�(shù)�(jù)傳輸性能,并具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高密度閃存:擁有 8Mbit 的主存儲器,適合存儲大量的代碼或�(shù)�(jù)�
  2. �(nèi)� SRAM 緩沖區(qū)�128Kbit � SRAM 可用作臨時存儲,提升�(shù)�(jù)處理效率�
  3. 靈活的操作模式:支持�(dú)立操作或通過映射方式連接到微控制��
  4. 低功耗設(shè)計:在待�(jī)模式下功耗極�,非常適合便攜式�(shè)��
  5. 寬工作溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 耐用性:可承受超� 100,000 次的擦寫周期,確保長期使用可靠性�
  7. 安全功能:支持塊保護(hù)和軟件數(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)�,防止未�(jīng)授權(quán)的訪��

�(yīng)�

該芯片適用于多種需要非易失性存儲的�(yīng)用場�,包括但不限于:
  1. 工業(yè)控制:用于保存配置參�(shù)、歷史記錄等重要信息�
  2. 消費(fèi)電子:如�(shù)碼相�(jī)、音頻播放器等設(shè)備中的固件和媒體文件存儲�
  3. �(yī)療設(shè)備:儲存患者數(shù)�(jù)、診斷結(jié)果和�(shè)備校�(zhǔn)參數(shù)�
  4. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)路由�、調(diào)制解�(diào)器等�(chǎn)品中存儲�(wǎng)�(luò)�(shè)置和�(xié)議棧�
  5. 嵌入式系�(tǒng):作為嵌入式微控制器的外部存儲擴(kuò)展解決方��
  由于其可靠性和高效能表�(xiàn),AT45DB081E-SSHN-T 成為許多開發(fā)人員的理想選��

替代型號

AT45DB081B-SSHN-T, AT45DB161E-SSHN-T

at45db081e-sshn-t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

at45db081e-sshn-t參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �14.63000剪切帶(CT�4,000 : �10.46871卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲器類�非易�
  • 存儲器格�閃存
  • 技�(shù)閃存
  • 存儲容量8Mb
  • 存儲器組�264 字節(jié) x 4096 �
  • 存儲器接�SPI
  • 時鐘頻率85 MHz
  • 寫周期時� - 字,�8μs�4ms
  • 訪問時間-
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC