AZ5125-02S 是一款高性能的低噪聲放大器 (LNA) 芯片,廣泛應(yīng)用于射頻通信系統(tǒng)中。該芯片采用了先進(jìn)的硅鍺 (SiGe) 工藝制造,具有卓越的增益性能和低功耗特點。其設(shè)計旨在滿足無線通信、衛(wèi)星接收以及雷達(dá)系統(tǒng)的嚴(yán)格要求。通過優(yōu)化的電路架構(gòu),AZ5125-02S 提供了出色的線性度和穩(wěn)定性,適用于高頻段應(yīng)用。
工作頻率范圍:3.4 GHz 至 4.2 GHz
增益:25 dB
噪聲系數(shù):1.2 dB
輸入回波損耗:-12 dB
輸出回波損耗:-10 dB
最大輸出功率(1 dB 壓縮點):18 dBm
電源電壓:5 V
工作電流:120 mA
封裝形式:QFN-16
AZ5125-02S 的主要特性包括:
1. 高增益與低噪聲系數(shù),確保信號質(zhì)量。
2. 支持寬帶操作,適應(yīng)多種頻率需求。
3. 內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò),簡化外部設(shè)計復(fù)雜性。
4. 出色的線性度和抗干擾能力,適合高動態(tài)范圍應(yīng)用。
5. 低功耗設(shè)計,減少系統(tǒng)熱管理負(fù)擔(dān)。
6. 穩(wěn)定的工作溫度范圍,從 -40°C 到 +85°C。
該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 無線通信基站前端接收模塊。
2. 衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的低噪聲前置放大器。
3. 雷達(dá)接收機中的關(guān)鍵信號增強組件。
4. 測試測量設(shè)備中的高頻信號放大。
5. 其他需要高增益、低噪聲特性的射頻系統(tǒng)。
AZ5125-03S, AZ5125-01S