AZHW351.RDG是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,適用于需要高效能與高可靠性的電路設(shè)計(jì)。
該型號(hào)為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其封裝形式通常為T(mén)O-220或SMD類(lèi)型,具體需參考制造商提供的技術(shù)文檔。由于其出色的電氣特性,這款器件特別適合于要求低損耗和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)合。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷:45nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟時(shí)間 19ns,關(guān)斷時(shí)間 15ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫條件下長(zhǎng)期運(yùn)行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)了芯片在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于PCB布局和散熱管理。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為功率開(kāi)關(guān)元件。
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制模塊。
5. 通信電源系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)單元。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP025N06