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AZHW351.RDG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 21:17:56 查看 閱讀：11

AZHW351.RDG是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能，適用于需要高效能與高可靠性的電路設(shè)計(jì)。
　　該型號(hào)為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其封裝形式通常為T(mén)O-220或SMD類(lèi)型，具體需參考制造商提供的技術(shù)文檔。由于其出色的電氣特性，這款器件特別適合于要求低損耗和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：8mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：開(kāi)啟時(shí)間 19ns，關(guān)斷時(shí)間 15ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫條件下長(zhǎng)期運(yùn)行。
　　4. 內(nèi)置ESD保護(hù)機(jī)制，增強(qiáng)了芯片在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于PCB布局和散熱管理。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為功率開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制模塊。
　　5. 通信電源系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)單元。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　STP30NF06L
　　FDP025N06

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