時(shí)間：2025/5/9 17:42:30
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BB659CE7840是一款高性能的雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于高頻和高速開關(guān)應(yīng)用。該器件具有低噪聲、高增益和快速響應(yīng)的特點(diǎn)，適合在通信設(shè)備、信號(hào)放大器和射頻電路中使用。
該晶體管采用SOT-23封裝，具有較小的體積和良好的熱性能，便于在高密度電路板上進(jìn)行布局。此外，其設(shè)計(jì)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，確保環(huán)保要求。
集電極-發(fā)射極電壓：30V
集電極電流：150mA
直流電流增益（hFE）：200-450
最大功耗：340mW
過渡頻率（fT）：1GHz
工作溫度范圍：-55℃ to 150℃
1. 高頻性能，適用于射頻和高速開關(guān)應(yīng)用。
2. 小型化SOT-23封裝，節(jié)省空間并優(yōu)化散熱。
3. 高直流電流增益，提供穩(wěn)定的信號(hào)放大能力。
4. 寬工作溫度范圍，確保惡劣環(huán)境下的可靠性。
5. 環(huán)保材料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
1. 高頻放大器和振蕩器電路。
2. 射頻模塊和無線通信設(shè)備。
3. 高速開關(guān)電路。
4. 便攜式電子設(shè)備中的信號(hào)處理。
5. 工業(yè)控制和傳感器接口電路。
MMBT3904LT1G
BC847B
2N3904
