BB659CE7840是一款高性能的雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于高頻和高速開關(guān)應(yīng)用。該器件具有低噪聲、高增益和快速響應(yīng)的特點(diǎn),適合在通信設(shè)備、信號(hào)放大器和射頻電路中使用。
該晶體管采用SOT-23封裝,具有較小的體積和良好的熱性能,便于在高密度電路板上進(jìn)行布局。此外,其設(shè)計(jì)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),確保環(huán)保要求。
集電極-發(fā)射極電壓:30V
集電極電流:150mA
直流電流增益(hFE):200-450
最大功耗:340mW
過渡頻率(fT):1GHz
工作溫度范圍:-55℃ to 150℃
1. 高頻性能,適用于射頻和高速開關(guān)應(yīng)用。
2. 小型化SOT-23封裝,節(jié)省空間并優(yōu)化散熱。
3. 高直流電流增益,提供穩(wěn)定的信號(hào)放大能力。
4. 寬工作溫度范圍,確保惡劣環(huán)境下的可靠性。
5. 環(huán)保材料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
1. 高頻放大器和振蕩器電路。
2. 射頻模塊和無線通信設(shè)備。
3. 高速開關(guān)電路。
4. 便攜式電子設(shè)備中的信號(hào)處理。
5. 工業(yè)控制和傳感器接口電路。
MMBT3904LT1G
BC847B
2N3904