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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BCX19LT1G

BCX19LT1G 發(fā)布時間 時間�2022/12/13 13:51:27 查看 閱讀�781

    類型:NPN

    集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V):45

    集電極最大持�(xù)電流IC(Max)(A):0.500

    

目錄

概述

    類型:NPN

    集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V):45

    集電極最大持�(xù)電流IC(Max)(A):0.500

    直流電流增益hFE最小�(dB):100

    直流電流增益hFE最大�(dB):600

    最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz):�

    功率耗散PD(W)@25�:0.225

    封裝/溫度(�):SOT-23/-55~150


資料

廠商
ON Semiconductor

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bcx19lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)500mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)45V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)620mV @ 50mA�500mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 100mA�1V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BCX19LT1GOSTR