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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BGU8H1

BGU8H1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:11:32 查看 閱讀�26

BGU8H1是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型器件。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備出色的電氣特性和可靠��
  這種MOSFET的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及良好的熱性能,使其能夠在高頻工作條件下保持高效和�(wěn)定的表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):BGU8H1
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(V_DS)�650V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  最大漏極電�(I_D)�8A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.1Ω(典型�,當(dāng)V_GS=10V�(shí))
  總功�(P_TOT)�70W
  �(jié)溫范�(T_J)�-55℃至+150�

特�

BGU8H1具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:650V的額定漏源電壓確保了其在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:R_DS(on)僅為1.1Ω,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化設(shè)�(jì),開(kāi)�(guān)�(shí)間短,適合高頻應(yīng)��
  4. 良好的熱�(wěn)定性:具備較高的結(jié)溫范�,適�(yīng)惡劣的工作條��
  5. 小封裝尺寸:便于在緊湊型�(shè)�(jì)中使用,同時(shí)�(jiǎn)化PCB布局�

�(yīng)�

BGU8H1適用于多種電子電路,具體包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于功率變換和�(diào)節(jié)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器:提供高效的電壓�(zhuǎn)換功��
  4. 逆變器:將直流電�(zhuǎn)化為交流電,用于太陽(yáng)能發(fā)電或其他�(yīng)用場(chǎng)��
  5. 充電器電路:為各種便攜式�(shè)備提供快速充電功能�

替代型號(hào)

IRF840, STP8NK65Z, FQP19N65C

bgu8h1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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