BGU8H1是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型器件。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備出色的電氣特性和可靠��
這種MOSFET的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及良好的熱性能,使其能夠在高頻工作條件下保持高效和�(wěn)定的表現(xiàn)�
型號(hào):BGU8H1
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�650V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�8A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.1Ω(典型�,當(dāng)V_GS=10V�(shí))
總功�(P_TOT)�70W
�(jié)溫范�(T_J)�-55℃至+150�
BGU8H1具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:650V的額定漏源電壓確保了其在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電阻:R_DS(on)僅為1.1Ω,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化設(shè)�(jì),開(kāi)�(guān)�(shí)間短,適合高頻應(yīng)��
4. 良好的熱�(wěn)定性:具備較高的結(jié)溫范�,適�(yīng)惡劣的工作條��
5. 小封裝尺寸:便于在緊湊型�(shè)�(jì)中使用,同時(shí)�(jiǎn)化PCB布局�
BGU8H1適用于多種電子電路,具體包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于功率變換和�(diào)節(jié)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:提供高效的電壓�(zhuǎn)換功��
4. 逆變器:將直流電�(zhuǎn)化為交流電,用于太陽(yáng)能發(fā)電或其他�(yīng)用場(chǎng)��
5. 充電器電路:為各種便攜式�(shè)備提供快速充電功能�
IRF840, STP8NK65Z, FQP19N65C