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GA1210Y273MBAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 11:10:28 查看 閱讀�12

GA1210Y273MBAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款器件在設(shè)�(jì)上注重提升能效和可靠�,廣泛適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)域的多種�(yīng)用場��

參數(shù)

型號:GA1210Y273MBAAT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�31A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.1mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總柵極電�(Qg)�85nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y273MBAAT31G具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可顯著減少�(dǎo)通損�,適合高電流�(yīng)用�
  2. 高速開�(guān)性能,能夠滿足高頻開�(guān)電路的需��
  3. 良好的熱�(wěn)定性,確保在高功率條件下運(yùn)行時具有較高的可靠��
  4. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能力,適用于惡劣的工作�(huán)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  6. �(wěn)定的電氣性能和較長的使用壽命,適合長期使��

�(yīng)�

GA1210Y273MBAAT31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)�(jì),用于提升效率和降低�(fā)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
  3. 各類電機(jī)�(qū)動電�,包括步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
  6. LED照明�(qū)動電路,提供高效�(wěn)定的電流輸出�

替代型號

GA1210Y273MBAAT31A, IRFZ44N, FDP18N12SBD

ga1210y273mbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-