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BL050N03-S8 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/27 14:20:11 查看 閱讀：7

BL050N03-S8 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），專為高頻和高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的 GaN 技術(shù)，能夠提供更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的功率密度。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SMD 封裝，便于在高密度電路板上使用。
　　這款芯片適用于電源適配器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、快充設(shè)備以及其他需要高效能和小體積的電力電子設(shè)備。

參數(shù)

額定電壓：300V
　　額定電流：50A
　　導(dǎo)通電阻：120mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：最高可達(dá) 2MHz
　　工作溫度范圍：-40℃ 至 +125℃
　　封裝類型：S8

特性

BL050N03-S8 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 高效的氮化鎵（GaN）材料提供了更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，使得系統(tǒng)效率顯著提升。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高達(dá) 2MHz 的開(kāi)關(guān)頻率，非常適合高頻應(yīng)用。
　　3. 極低的寄生電感，優(yōu)化了高頻條件下的性能。
　　4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了芯片在實(shí)際環(huán)境中的可靠性。
　　5. 緊湊的 SMD 封裝設(shè)計(jì)節(jié)省了 PCB 布局空間。
　　6. 寬工作溫度范圍確保了在極端條件下依然具備穩(wěn)定的性能。

應(yīng)用

BL050N03-S8 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. USB-PD 充電器和其他便攜式設(shè)備的快速充電解決方案。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，例如服務(wù)器和通信設(shè)備中的電源模塊。
　　3. LED 驅(qū)動(dòng)器及照明系統(tǒng)。
　　4. 無(wú)線充電設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換。
　　5. 工業(yè)級(jí)開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器控制單元。
　　6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高性能電源管理模塊。

替代型號(hào)

BL050N03L-S8