IKW25N120H3是由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,屬于CoolMOS系列。該器件采用先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。其額定電壓�1200V,持�(xù)漏極電流�25A(在25℃時(shí)�。IKW25N120H3廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、逆變器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及太陽(yáng)能逆變器等�(lǐng)��
該器件的主要�(yōu)�(shì)在于其卓越的效率表現(xiàn)和出色的熱性能,同�(shí)具備較低的柵極電荷和輸出電荷,從而降低了開關(guān)損耗并提升了系�(tǒng)整體效率�
最大漏源電壓:1200V
最大連續(xù)漏極電流�25A
最大漏源擊穿電壓:1200V
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�180mΩ
總柵極電荷:70nC
輸出電容�1640pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IKW25N120H3采用了英飛凌的第三代CoolMOS技�(shù),具備以下顯著特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高壓條件下提供高效的工作狀�(tài)�
2. 高速開�(guān)能力,得益于低柵極電荷和輸出電荷�(shè)�(jì)�
3. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運(yùn)行�
4. 超低反向恢復(fù)電荷,�(jìn)一步減少開�(guān)過程中的能量損失�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
這些特性使得該器件非常適合要求高效�、高可靠性的電力電子�(yīng)用場(chǎng)��
IKW25N120H3主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 太陽(yáng)能逆變�
3. 電動(dòng)車輛的車載充電器
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 不間斷電源(UPS�
6. PFC(功率因�(shù)校正)電�
7. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
由于其高壓耐受能力和高效的開關(guān)特�,該器件能夠勝任多種�(yán)苛環(huán)境下的功率控制任�(wù)�
IKW24N120H3
IKW26N120H3
IPW25N120H3L