BP2863MJ是一款高壓功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高電壓切換的應(yīng)用場景。該器件采用N溝道增強型技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,可顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
BP2863MJ使用TO-220封裝形式,便于散熱設(shè)�,并具備出色的電氣性能和可靠�,適合工�(yè)及消費類電子�(lǐng)��
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�4.5A
�(dǎo)通電阻:1.8Ω
柵極閾值電壓:3V~5V
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55℃~150�
BP2863MJ具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,支持高�700V的漏源電壓,適用于各種高壓環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�1.8Ω,減少導(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)速度,有助于提高工作效率并降低電磁干擾�
4. �(nèi)置ESD保護電路,提升抗靜電能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和長期可靠性,滿足�(yán)苛工況需��
BP2863MJ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,包括適配�、充電器��
2. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電機�(qū)動控�,例如小型直流無刷電��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模��
5. 消費電子�(chǎn)品中的高壓開�(guān)�(yīng)用�
其高性能和穩(wěn)定性使其成為這些�(lǐng)域的理想選擇�
IRF840, STP70NF70