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BR24L16FJ-WE2 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 9:02:16 查看 閱讀:24

BR24L16FJ-WE2 是一款由 Panasonic(松下)生產(chǎn)的鐵電隨機存取存儲器(FeRAM),屬于非易失性存儲器系列。該芯片采用 FRAM 技術(shù),具有高速寫入、低功耗和高讀/寫耐久性的特點。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備以及需要頻繁寫入且斷電后數(shù)據(jù)不能丟失的場景。
  FRAM 技術(shù)結(jié)合了 RAM 和閃存的優(yōu)點,能夠提供快速的數(shù)據(jù)寫入速度和幾乎無限的讀寫周期,同時具備非易失性特性。

參數(shù)

容量:256Kbit
  工作電壓:1.8V~3.6V
  接口類型:I2C
  工作溫度范圍:-40°C ~ +85°C
  封裝形式:8-pin SOIC
  頁大小:32Bytes
  最大時鐘頻率:400kHz

特性

BR24L16FJ-WE2 的核心特點是基于鐵電存儲技術(shù),使其在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。
  1. 非易失性:即使在斷電情況下,數(shù)據(jù)也能保持完整,無需額外的備份電源。
  2. 超高讀寫耐久性:支持高達 10^12 次的讀寫周期,適用于高頻寫入的應(yīng)用場景。
  3. 低功耗:相比傳統(tǒng) EEPROM 和閃存,寫入操作的功耗更低,適合電池供電設(shè)備。
  4. 快速寫入:無需寫前擦除操作,數(shù)據(jù)可以立即寫入存儲單元。
  5. 小封裝尺寸:8 引腳 SOIC 封裝節(jié)省了 PCB 空間,非常適合緊湊型設(shè)計。

應(yīng)用

這款芯片廣泛應(yīng)用于各種需要可靠非易失性存儲的場合,具體包括:
  1. 數(shù)據(jù)記錄:如電力計量設(shè)備、環(huán)境監(jiān)測儀器等需要頻繁記錄運行狀態(tài)或測量數(shù)據(jù)的系統(tǒng)。
  2. 工業(yè)自動化:用于保存配置參數(shù)或歷史數(shù)據(jù),確保系統(tǒng)在斷電重啟后能正常恢復(fù)。
  3. 醫(yī)療設(shè)備:例如便攜式健康監(jiān)測裝置,需要在斷電時保護重要患者信息。
  4. 消費電子:如家用電器中保存用戶設(shè)置或運行日志。
  5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:為 IoT 節(jié)點提供可靠的非易失性存儲解決方案。

替代型號

BR24H16FJ-WME2, BR24T16FJ-WTE2

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br24l16fj-we2參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲器
  • 系列-
  • 格式 - 存儲器EEPROMs - 串行
  • 存儲器類型EEPROM
  • 存儲容量16K (2K x 8)
  • 速度400kHz
  • 接口I²C,2 線串口
  • 電源電壓1.8 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOP-J
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BR24L16FJ-WE2-NDBR24L16FJ-WE2TR