時間：2025/5/8 9:02:16
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BR24L16FJ-WE2 是一款由 Panasonic（松下）生產(chǎn)的鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），屬于非易失性存儲器系列。該芯片采用 FRAM 技術(shù)，具有高速寫入、低功耗和高讀/寫耐久性的特點。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備以及需要頻繁寫入且斷電后數(shù)據(jù)不能丟失的場景。
FRAM 技術(shù)結(jié)合了 RAM 和閃存的優(yōu)點，能夠提供快速的數(shù)據(jù)寫入速度和幾乎無限的讀寫周期，同時具備非易失性特性。
容量：256Kbit
工作電壓：1.8V~3.6V
接口類型：I2C
工作溫度范圍：-40°C ~ +85°C
封裝形式：8-pin SOIC
頁大小：32Bytes
最大時鐘頻率：400kHz
BR24L16FJ-WE2 的核心特點是基于鐵電存儲技術(shù)，使其在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。
1. 非易失性：即使在斷電情況下，數(shù)據(jù)也能保持完整，無需額外的備份電源。
2. 超高讀寫耐久性：支持高達 10^12 次的讀寫周期，適用于高頻寫入的應(yīng)用場景。
3. 低功耗：相比傳統(tǒng) EEPROM 和閃存，寫入操作的功耗更低，適合電池供電設(shè)備。
4. 快速寫入：無需寫前擦除操作，數(shù)據(jù)可以立即寫入存儲單元。
5. 小封裝尺寸：8 引腳 SOIC 封裝節(jié)省了 PCB 空間，非常適合緊湊型設(shè)計。
這款芯片廣泛應(yīng)用于各種需要可靠非易失性存儲的場合，具體包括：
1. 數(shù)據(jù)記錄：如電力計量設(shè)備、環(huán)境監(jiān)測儀器等需要頻繁記錄運行狀態(tài)或測量數(shù)據(jù)的系統(tǒng)。
2. 工業(yè)自動化：用于保存配置參數(shù)或歷史數(shù)據(jù)，確保系統(tǒng)在斷電重啟后能正常恢復(fù)。
3. 醫(yī)療設(shè)備：例如便攜式健康監(jiān)測裝置，需要在斷電時保護重要患者信息。
4. 消費電子：如家用電器中保存用戶設(shè)置或運行日志。
5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備：為 IoT 節(jié)點提供可靠的非易失性存儲解決方案。
BR24H16FJ-WME2, BR24T16FJ-WTE2
